晶体管类型 | NPN,PNP | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 45V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 600mV @ 5mA,100mA |
电流 - 集电极截止(最大值) | 15nA(ICBO) | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 200 @ 2mA,5V |
功率 - 最大值 | 380mW | 频率 - 跃迁 | 100MHz |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | 供应商器件封装 | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
BC847BPDW1T1G 是一款高性能的 NPN 和 PNP 双极性晶体管(BJT),专为低功耗和高频应用设计。它采用紧凑的 SOT-363 封装,适合表面贴装(SMD),宽广的工作温度范围从 -55°C 到 150°C,使其在严苛环境下仍可稳定工作。这款晶体管在多种应用场景中表现优越,尤其适合用于开关电源、信号放大以及低噪声放大器等电路中。
高增益性能: BC847BPDW1T1G 提供最低 200 的直流电流增益,为设计者提供了灵活的设计选择,可以在较小的输入信号上实现相当大的输出功率。
低饱和压降: 600mV 的最大饱和压降确保了在高集电极电流应用时的能效,降低了功率损耗,对热管理有良好影响。
超低截止电流: 仅 15nA 的截止电流使得 BC847BPDW1T1G 在低功耗应用中表现出色,特别适合在电池供电的设备中使用,以提高续航能力。
广泛的工作温度: 适应 -55°C 到 150°C 的工作温度,使其非常适合汽车、航空航天及工业控制等严苛环境中的应用。
高频操作: 100MHz 的跃迁频率使得这款晶体管能够在高频数字电路和射频应用中保持高效性能。
BC847BPDW1T1G 晶体管广泛应用于以下场景:
作为 ON(安森美)公司的高品质产品,BC847BPDW1T1G 不仅在技术参数上具备竞争力,其小巧的封装和高可靠性也使其成为现代电子设备设计中的理想选择。无论是用于小型消费电子,还是苛刻工业环境,这款双极性晶体管都能为设计者提供更大的灵活性和更高的性能,助力创造更高效、更智能的电子系统。