存储器类型 | 非易失 | 存储器格式 | 闪存 |
技术 | FLASH - NOR | 存储容量 | 512Mb (64M x 8) |
存储器接口 | SPI - 四 I/O, QPI, DTR | 时钟频率 | 133MHz |
写周期时间 - 字,页 | 1.6ms | 电压 - 供电 | 2.3V ~ 3.6V |
工作温度 | -40°C ~ 105°C(TA) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | 8-WDFN 裸露焊盘 | 供应商器件封装 | 8-WSON(8x6) |
IS25LP512M-JLLE-TR 是由美国芯成(ISSI)生产的一款高性能闪存存储器。这款存储器采用了先进的 FLASH - NOR 技术,提供了512Mb(64M x 8)的存储容量,适合需要高带宽和高速数据读取的应用场合。
IS25LP512M-JLLE-TR 以其非易失性特征,为用户提供了一个可靠的数据存储解决方案。无论在断电或系统重启後,存储在该器件中的数据仍能保持完整,从而确保数据的安全性和持久性。这种特性使其非常适合用于存储固件、系统启动代码和其它重要信息。
该器件采用 SPI(Serial Peripheral Interface)四 I/O 接口,支持 QPI(Quad Peripheral Interface)和 DTR(Dual Transfer Rate),使其能够在高达 133MHz 的时钟频率下进行高速数据传输。这一特性不仅提高了数据传输的速度,也大幅度减少了应用的延迟时间,使其在实时系统中表现出色。
在写周期方面,IS25LP512M-JLLE-TR 的字和页写周期时间均为1.6ms,适合需要快速写入的应用环境。这种稳健的写入性能确保了在数据更新频繁的应用中,可以快速执行数据存储任务,而不会影响系统的整体性能。
该闪存的工作电压范围为2.3V到3.6V,这使得它在不同供电条件下都能稳定工作。同时,其工作温度范围从-40°C到105°C,保证了在极端环境下的可靠性。这种极端的工作条件使其广泛应用于工业、汽车、医疗等领域,满足了不同场合对温度适应性的需求。
IS25LP512M-JLLE-TR 的安装类型为表面贴装型(SMD),采用8-WSON(8x6)封装形式,适合现代精密电子设备和紧凑型电路板的设计。这种小型化的封装方式减少了电路板的空间占用,提高了设计的灵活性,是高密度设计的理想选择。
该产品广泛应用于诸如嵌入式系统(如微控制器和其他智能设备)、物联网(IoT)设备、数据记录系统、智能家居、工业自动化、汽车电子等领域。由于其非易失性存储特征和优越的性能,IS25LP512M-JLLE-TR 成为各种应用的理想选择,为系统设计师提供了灵活和可靠的存储方案。
总之,IS25LP512M-JLLE-TR 是一款高性能、高可靠性的闪存存储器,其非易失性特点,结合高速数据传输能力和宽广的工作温度与电压范围,使其在各个领域中都有着广泛的应用前景。无论是作为数据存储,还是作为系统设计的一部分,IS25LP512M-JLLE-TR 的卓越规格和性能都能满足苛刻的市场需求,帮助工程师实现更高效的设计与开发。对于需要高质量存储解决方案的用户而言,IS25LP512M-JLLE-TR 无疑是一个值得考虑的优质选择。