DMP1245UFCL-7
DMP1245UFCL-7参数
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 12V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 6.6A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.5V，4.5V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 29 毫欧 @ 4A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 950mV @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 26.1nC @ 8V |
| Vgs（最大值） | ±8V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1357.4pF @ 10V |
| 功率耗散（最大值） | 613mW（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | X1-DFN1616-6（E 类） |
| 封装/外壳 | 6-PowerUFDFN |
DMP1245UFCL-7手册
DMP1245UFCL-7概述
DMP1245UFCL-7 产品概述
DMP1245UFCL-7 是由美台公司（DIODES）推出的一款高性能 P 型 MOSFET（场效应晶体管），其设计旨在满足现代电子设备对高效能、低功耗和高温稳定性的要求。这款 MOSFET 广泛应用于各种电子电路，包括开关电源、直流-直流转换器、以及其他需要高开关速度和低导通损耗的应用场景。
1. 产品基本参数
FET 类型: 本产品属于 P 通道类型的 MOSFET，其具有优异的导电性和开关特性，能够在低电压驱动下实现较大的功率输出。
漏源电压（Vdss）: DMP1245UFCL-7 的最大漏源电压为12V，适用于低压电源管理和信号处理应用。
连续漏极电流 (Id): 在 25°C 的环境温度下，本产品可以承载高达6.6A 的连续漏极电流，这为高负载条件下的可靠性提供了保障。
导通电阻 (Rds On): 在特定的栅极驱动电压下，DMP1245UFCL-7 的最大导通电阻为29 毫欧（在 Vgs=4.5V 和 Id=4A 时测得）。低导通电阻意味着更少的功率损耗和热产生，提升了整体电路的效率。
驱动电压: 为了实现最优的导通状态，该 MOSFET 可以在 1.5V 到 4.5V 之间的驱动电压进行操作。这一特性使得其在多种控制电路中的适应性更强。
2. 关键电气特性
阈值电压 (Vgs(th)): DMP1245UFCL-7 的最大栅源电压阈值为950mV（250µA时测得），表明该器件在较低的驱动电压下即可导通，非常适合低电压应用。
栅极电荷 (Qg): 在 Vgs=8V 的条件下，栅极电荷最大值为26.1nC，这对切换速度有显著影响。较低的栅极电荷使得开关操作变得更加快速，从而提高了频率的响应能力。
输入电容 (Ciss): 本产品在 Vds=10V 时的最大输入电容为1357.4pF，较大的输入电容有助于降低输入信号的干扰，保证稳定操作。
功率耗散: DMP1245UFCL-7 的最大功耗为613mW（在包围环境温度 Ta 下），该特性非常适合于散热设计要求严格的应用。
3. 工作环境与封装
工作温度范围: 本产品能够在-55°C 到 150°C 的广泛温度范围内稳定运行，适合高温环境下的工业应用，提高了系统的可靠性。
安装类型: DMP1245UFCL-7 采用表面贴装封装方式（X1-DFN1616-6），具有较小的占板面积，这为高密度电路设计提供了便利。此封装形式适合现代自动化生产线，提高了生产效率和组件的一致性。
4. 应用场景
DMP1245UFCL-7 适用于多种电子设备和系统，包括但不限于：
- 开关电源（SMPS）
- 直流-直流转换器
- 电机驱动器
- 嵌入式控制系统
- 充电装置
- 电子开关系统
5. 总结
DMP1245UFCL-7 是一款集高性能、低功耗及宽工作温度范围于一体的 P 型 MOSFET，其特性使得它在现代电子电路设计中具有极高的实用价值。无论是在电源管理还是信号调控的应用中，这款 MOSFET 都能为设计工程师提供可靠的解决方案，是创新电子产品设计的理想选择。