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SI2308CDS-T1-GE3
品牌 :
VISHAY(威世)
封装 :
SOT-23-3（TO-236）
包装 :
编带
重量 :
-
描述 :
场效应管(MOSFET) 1.6W 60V 2.6A 1个N沟道 SOT-23-3
库存 :
818(起订量1,增量1)
批次 :
24+数量 :
X
1.19按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥1.19
--
200+
￥0.912
--
1500+
￥0.793
--
3000+
￥0.689
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述
SI2308CDS-T1-GE3参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.6A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 144 毫欧 @ 1.9A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 4nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 105pF @ 30V |
| 功率耗散（最大值） | 1.6W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
SI2308CDS-T1-GE3手册
无数据
SI2308CDS-T1-GE3概述
SI2308CDS-T1-GE3 产品概述
产品名称： SI2308CDS-T1-GE3
品牌： VISHAY（威世）
类型： N 通道 MOSFET
封装： SOT-23-3（TO-236）
一、概述
SI2308CDS-T1-GE3 是一款高性能的 N 通道场效应管（MOSFET），专为面向各种电子应用而设计。凭借其出色的电气性能和紧凑的封装，SI2308CDS-T1-GE3 非常适合用于自动化、开关电源、DC-DC 转换器、LED 驱动和其他需要高效率开关控制的应用场景。
二、主要规格
- 漏源电压（Vds）: 60V
- 连续漏极电流（Id）: 2.6A（在 25°C 环境下）
- 导通电阻（Rds(on）: 144 毫欧 @ 1.9A，10V（体现了其在一定电流条件下的低阻抗特性，有助于提高整体能效）
- 栅极阈值电压（Vgs(th）: 最高 3V @ 250µA（这一指标意味着在较低的栅极电压下便能使其导通，适合低电压驱动电路）
- 栅极电荷 (Qg): 4nC @ 10V（表示在 10V 时触发导通所需的栅极电荷量，低电荷意味着更快的开关速度）
- 输入电容 (Ciss): 105pF @ 30V（低输入电容有利于快速开关操作）
- 最高工作温度: -55°C ~ 150°C（确保在极端环境下的可靠操作）
三、应用领域
SI2308CDS-T1-GE3 的多种特性使其适合用于多个领域，包括但不限于：
- 电源管理：可用于开关电源和 DC-DC 转换器中，提供高效率的电源转换。
- LED 驱动：由于其快速开关的能力，适合用于高频率 LED 驱动电路。
- 电机控制：可用于小型电机驱动，确保电机在不同负载条件下平稳运行。
- 信号开关：可用于信号路径中的开关应用，提供低损耗和高线性性能。
四、封装与安装
该产品采用 SOT-23-3（TO-236）封装，这种表面贴装型封装不仅节省空间，还简化了自动化生产线上的焊接过程。紧凑的尺寸使得 SI2308CDS-T1-GE3 特别适合便携式电子设备，如智能手机和便携式电池管理系统。
五、性能优势
- 高效能：相较于传统电子开关，SI2308CDS-T1-GE3 提供了显著的低导通电阻，减少了在开关状态下的功率损耗。
- 高速开关：其低栅极电荷和低输入电容特性，表明其能在较高频率下迅速响应，使其在高频应用中表现更佳。
- 宽工作温度范围：适配各种极端操作环境，能够保证设备的长期稳定性与可靠性。
六、总结
SI2308CDS-T1-GE3 是一款强大且高效的 N 通道 MOSFET，适用于各种电源管理和信号开关应用。凭借其出色的电气特性和可靠的工作性能，该产品为现代电子设计提供了理想的解决方案。无论是在高功率应用还是在对开关速度要求严格的场景，SI2308CDS-T1-GE3 都能为设计师们提供卓越的性能，引领电子技术的不断发展。