MMDT5451-7-F 产品实物图片
MMDT5451-7-F 产品实物图片
商品图片1
商品图片2
商品图片3
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

MMDT5451-7-F

商品编码: BM69414270
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT363
包装 : 
编带
重量 : 
0.016g
描述 : 
三极管(BJT) 200mW 160V;150V 200mA NPN+PNP SOT-363
库存 :
857(起订量1,增量1)
批次 :
24+
数量 :
X
0.523
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.523
--
200+
¥0.338
--
1500+
¥0.294
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

MMDT5451-7-F参数

晶体管类型NPN,PNP电流 - 集电极 (Ic)(最大值)200mA
电压 - 集射极击穿(最大值)160V,150V不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)200mV @ 5mA,50mA / 500mV @ 5mA,50mA
电流 - 集电极截止(最大值)50nA(ICBO)不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)80 @ 10mA,5V / 60 @ 10mA,5V
功率 - 最大值200mW频率 - 跃迁300MHz
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型表面贴装型
封装/外壳6-TSSOP,SC-88,SOT-363供应商器件封装SOT-363

MMDT5451-7-F手册

empty-page
无数据

MMDT5451-7-F概述

MMDT5451-7-F 产品概述

1. 概述

MMDT5451-7-F是一款高性能双极型晶体管(BJT),具有NPN和PNP两种类型选项,专为广泛的电子应用设计。该器件采用先进的半导体技术,能够提供卓越的电气性能和可靠性,满足现代电子电路的需求。典型应用范围包括开关电源、信号放大电路以及各种低功耗设备,能够在严苛环境下稳定工作,尤其适合消费电子、工业控制和汽车电子领域。

2. 主要规格

MMDT5451-7-F的主要参数包括:

  • 晶体管类型:NPN和PNP两种结构,提供灵活的电路设计选择。
  • 集电极电流(Ic):最大值为200mA,足以满足大部分通用功率要求。
  • 集射极击穿电压:NPN为160V,PNP为150V,这使得该器件能够抵抗高电压应用,适合高压电路。
  • Vce饱和压降:在不同的基极电流(Ib)和集电极电流(Ic)下,提供低至200mV(@5mA,50mA)及500mV的饱和压降,有助于减少功耗并提高电路效率。
  • 集电极截止电流(ICBO):最大值为50nA,确保在静态情况下低漏电流,这在敏感应用中非常关键。
  • 直流电流增益(hFE):在10mA和5V的条件下,NPN的最低值为80,而PNP为60,提供了良好的放大能力。
  • 功率损耗:最大功率为200mW,适合小型和中型功率应用。
  • 工作频率:跃迁频率高达300MHz,适合高速应用,确保设备在高频环境下的稳定性。
  • 工作温度范围:能够在-55°C至150°C的环境中正常工作,确保即使在极端环境下也能可靠运行。
  • 封装类型:采用流行的SOT-363封装,设计合理、占用空间小,非常适合紧凑型电路设计。

3. 应用领域

MMDT5451-7-F的设计使其广泛适用于以下几个主要领域:

  • 消费电子:如手机、平板电脑和其他便携式设备中的低功耗开关和放大器电路。
  • 工业控制:用于传感器和控制电路中,确保设备的稳定性和高效性。
  • 汽车电子:在汽车控制系统、照明和安全系统中提供强大的开关性能及高温耐受能力。
  • 通信设备:在各种无线通信和网络设备中负责信号放大和传输。

4. 结论

MMDT5451-7-F是一款多用途、高性能的三极管,结合了优秀的电气性能和操作稳定性,适合各种严格的应用需求。选择此器件不仅可以提高设计的可靠性,还可以确保在不同的环境条件下正常工作,对于希望在电子设计中实现高效能和小型化的工程师来说,MMDT5451-7-F无疑是一个值得考虑的解决方案。无论是在开关电源、信号处理还是自动化控制中,这款晶体管都能提供卓越的性能,帮助设计师实现更复杂的电路功能。