存储器类型 | 非易失 | 存储器格式 | FRAM |
技术 | FRAM(铁电体 RAM) | 存储容量 | 2Mb (256K x 8) |
存储器接口 | SPI | 时钟频率 | 40MHz |
电压 - 供电 | 2V ~ 3.6V | 工作温度 | -40°C ~ 85°C(TA) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 8-SOIC(0.209",5.30mm 宽) |
供应商器件封装 | 8-SOIC |
FM25V20A-GTR是一款由赛普拉斯(Cypress)公司推出的高性能非易失性铁电随机存取存储器(FRAM),其存储容量为2Mb(256K x 8位),采用SPI接口,支持高速数据传输及低功耗操作。这款芯片特别适合用于需要频繁读写存储数据的电子应用,因其优越的读写性能和耐用性而广受欢迎。
非易失性存储器:FM25V20A-GTR采用FRAM技术,不仅继承了传统RAM的高速度特性,还具备非易失性。在断电后,数据能够长期保持,无需额外的能量供给。
存储容量:本器件的存储容量为2Mb(即256K字节),可满足各种应用对数据存储的需求。其高存储密度使得电路设计可以更加优化和紧凑,尤其适合在空间有限的设备中使用。
高速SPI接口:FM25V20A-GTR通过SPI接口进行数据传输,时钟频率最高可达40MHz。这意味着器件能够迅速响应外部的读写请求,为高性能应用提供了支持。SPI协议的广泛应用,使得该器件便于与多种微控制器和数字信号处理器连接。
低功耗特性:在工作状态下,FM25V20A-GTR的工作电流仅为1.4mA,而在待机模式下功耗更为降低,大大延长了电池供电设备的使用寿命。这一优势使其非常适合于便携式和移动设备的应用。
宽工作电压范围:供电电压范围为2V至3.6V,使得该存储器在不同电源条件下都能稳定工作。广泛的工作电压范围增加了设备设计的灵活性,同时也便于与多种电源模块配合使用。
工作温度范围:FM25V20A-GTR支持-40°C至85°C的工作温度范围,适合在恶劣环境下运行。无论是在工业自动化、医疗设备还是汽车电子等领域,该器件都能保证可靠的性能。
紧凑型封装:采用8-SOIC封装(0.209"宽,5.30mm),FM25V20A-GTR极具空间节省优势,适合各种表面贴装设计。其小巧的外形使得在电子设计中能够灵活配置,减少PCB空间的浪费。
FM25V20A-GTR因其独特的性能特点,非常适合应用于多种领域,包括:
FM25V20A-GTR是一款具有优秀性能的非易失性FRAM存储器,尤其适用于高速度和高可靠性要求的应用场景。凭借其优越的读取和写入速度、低功耗特性、以及广泛的工作温度和电压范围,该器件为电子设计师提供了多样的灵活性和便利性。正因如此,FM25V20A-GTR已成为众多电子设计中的理想选择,在市场上享有良好的声誉。