DMP3013SFV-7
DMP3013SFV-7参数
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 12A |
| 栅源极阈值电压 | 3V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 9.5mΩ @ 11.5A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 940mW | 类型 | P沟道 |
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 12A（Ta），35A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 9.5 毫欧 @ 11.5A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 33.7nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±25V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1674pF @ 15V | 功率耗散（最大值） | 940mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | PowerDI3333-8（UX 类） | 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
DMP3013SFV-7手册
DMP3013SFV-7概述
DMP3013SFV-7 产品概述
DMP3013SFV-7 是一款高性能的 P 通道 MOSFET，专为低功耗应用设计，其关键特性包括较低的导通电阻、低门电压驱动要求和宽广的工作温度范围。该器件由 DIODES（美台）公司生产，采用 PowerDI3333-8 封装，适合在各种需要高效率的开关电源和负载驱动应用中使用。
关键参数
漏源电压 (Vdss): DMP3013SFV-7 的最大漏源电压为 30V，这意味着它能在相对较高的电压下可靠工作，适用于多种电源管理场景。
连续漏极电流 (Id): 在 25°C 条件下，该器件的连续漏极电流可达 12A，在更佳的散热条件下（Tc=特别条件），其额定电流可达到 35A。这使得 DMP3013SFV-7 能够处理高负载，适合用于电机驱动、电源转换等应用中。
导通电阻 (Rds On): 在 11.5A 和 10V 条件下，漏源导通电阻仅有 9.5mΩ，显示出其卓越的导电特性。这种低导通电阻能够显著降低功率损耗，提高系统的能效。
栅源极阈值电压 (Vgs(th)): 该 MOSFET 的栅源极阈值电压为 3V @ 250µA，适合使用较低的栅电压进行驱动，从而降低了驱动电路的复杂性和成本。
工作温度范围: DMP3013SFV-7 的工作温度可在 -55°C 到 150°C 之间，这使其适合在严酷的环境条件下运行，如工业电源和汽车电子等应用场合。
结构与封装
DMP3013SFV-7 采用先进的 PowerDI3333-8 表面贴装型封装。该封装设计不仅节省了PCB空间，还具备优良的热管理能力，使得器件在高负载下保持较低的工作温度。此外，紧凑的封装设计也有利于提升设备的整体性能及可靠性。
应用场景
DMP3013SFV-7 广泛应用于各种电子设备和系统中，主要包括：
- 电源管理: 在 DC-DC 转换器中作为开关元件，提高转换效率。
- 电机驱动: 作为电机控制电路中的功率开关，适合于无刷直流电机（BLDC）驱动。
- 负载开关: 在各种负载切换场合下，快速准确地控制电源的连接和断开。
- 汽车电子: 在汽车电气系统中，支持高温和高功率的应用，保证车辆的稳定性和安全性。
结论
DMP3013SFV-7 是一款集高效能、低功耗与宽工作温度范围于一体的 P 通道 MOSFET，凭借其卓越的电气特性和优异的封装设计，成为现代电子产品中不可或缺的组成部分。无论是在电源管理、电机驱动还是其他广泛的工业应用中，DMP3013SFV-7 都展现出卓越的性能和可靠性，是设计工程师值得信赖的选择。