PMEG6002EB,115 产品实物图片
PMEG6002EB,115 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

PMEG6002EB,115

商品编码: BM69414147
品牌 : 
Nexperia(安世)
封装 : 
SOD-523
包装 : 
编带
重量 : 
1g
描述 : 
肖特基二极管 600mV@200mA 60V 100uA@60V 200mA SOD-523
库存 :
30(起订量1,增量1)
批次 :
23+
数量 :
X
0.283
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.283
--
200+
¥0.182
--
1500+
¥0.158
--
3000+
¥0.14
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

PMEG6002EB,115参数

直流反向耐压(Vr)60V平均整流电流(Io)200mA
正向压降(Vf)600mV @ 200mA二极管类型肖特基
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)60V电流 - 平均整流 (Io)200mA(DC)
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)600mV @ 200mA速度小信号 =< 200mA(Io),任意速度
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏100µA @ 60V不同 Vr、F 时电容20pF @ 1V,1MHz
安装类型表面贴装型封装/外壳SC-79,SOD-523
供应商器件封装SOD-523工作温度 - 结150°C(最大)

PMEG6002EB,115手册

PMEG6002EB,115概述

PMEG6002EB,115 产品概述

一、产品简介

PMEG6002EB,115 是一款由Nexperia(安世半导体)公司推出的高性能肖特基二极管,设计用于高效功率整流和信号处理应用。此二极管能够在60V的反向电压条件下稳定工作,并具有200mA的平均整流电流能力,非常适合用于快速切换和高频应用场景。其封装类型为SOD-523,具备小尺寸和低轮廓的特点,使其能够适应紧凑型电子设备的需求。

二、主要特性

  1. 反向电压:PMEG6002EB,115 的直流反向耐压为60V,适用于中等电压的应用,例如电源管理、开关电源和DC-DC转换器。
  2. 平均整流电流:该器件支持的平均整流电流为200mA,能够满足大多数小功率电子电路的电流需求。
  3. 正向压降:在200mA的典型工作条件下,正向压降仅为600mV,这一特性显著降低了功耗,提高了电路的总体效率。
  4. 反向泄漏电流:即使在最大反向电压60V下,反向泄漏电流也仅为100µA,显示出该元件卓越的密封性能,适合用于要求严格的电源应用理论。
  5. 电容特性:该二极管的输入电容为20pF(在1V、1MHz下测得),这一特性使其在高频应用中具备良好的性能。
  6. 工作温度:PMEG6002EB,115 的结温工作范围高达150°C,使得其在高温环境下也能正常工作,适合在热量较大的电子设备中使用。

三、应用领域

由于其优秀的电流承载能力和低正向压降,PMEG6002EB,115 被广泛应用于各类电子电路中。主要应用场景包括:

  1. 电源管理:在开关电源和线性电源的整流电路中,肖特基二极管可用作整流元件,显著提高电源的转换效率。
  2. DC-DC 转换器:常用于降压(Buck)或升压(Boost)转换器中,确保优良的电能转换率。
  3. 信号处理电路:在高频信号处理电路中,PMEG6002EB,115 的低反向电容使其能够快速响应信号变化且减少失真。
  4. 电池保护电路:能有效防止电池反向充电,保护电池安全,延长电池的使用寿命。

四、技术参数总结表

参数数值
直流反向耐压 (Vr)60V
平均整流电流 (Io)200mA
正向压降 (Vf)600mV @ 200mA
反向泄漏电流100µA @ 60V
输入电容20pF @ 1V, 1MHz
封装/外壳SOD-523
工作温度 (结温)150°C (最大)

五、小结

PMEG6002EB,115 以其低正向压降、高温工作能力及优良的反向特性,成为了众多电子设计工程师的首选元器件之一。其适用范围广泛,从电源整流到信号处理,无不展示了肖特基二极管在现代电子设计中的重要价值。选择PMEG6002EB,115,不仅能够提高电路的工作效率,还能够增强产品的整体性能,符合现代电子产品对小型化、节能化和高效能的追求。