额定功率 | 200mW | 集电极电流Ic | 100mA |
集射极击穿电压Vce | 50V | 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V |
电阻器 - 基极 (R1) | 10 kOhms | 电阻器 - 发射极 (R2) | 10 kOhms |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 30 @ 5mA,5V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 150mV @ 500µA,10mA |
电流 - 集电极截止(最大值) | 1µA | 频率 - 跃迁 | 180MHz |
功率 - 最大值 | 200mW | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | SC-70,SOT-323 | 供应商器件封装 | SOT-323 |
PDTA114EU和PDTA115是由Nexperia(安世)公司推出的一款高性能数字晶体管,属于PNP类型的预偏置晶体管。它们以其优异的电气性能和高度的适应性,广泛应用于各类电子电路中,尤其是开关控制和信号放大领域。两者的额定功率均为200mW,集电极电流最大可达100mA,集射极击穿电压为50V,使其成为各种电子应用的理想选择。
PDTA114EU和PDTA115的电气特性使它们对于低功耗、高效率的应用非常适合。其最低的DC电流增益 (hFE) 为30,表示在小信号放大应用中,这些晶体管能够有效地把微小的基极电流转化为较大的集电极电流。此外,最大集电极截止电流仅为1µA,显示了其高效能的关闭状态,确保在不工作时不会消耗过多电流。
在开关应用中,这些晶体管的饱和压降(Vce饱和压降)仅为150mV,即使在较高的集电极电流下也能保持低损耗,从而提高电路的整体效率。在高频率应用中,180MHz的跃迁频率意味着这款晶体管可以在较高速的切换应用中保持良好的性能,适用于高频信号处理和高速开关电路。
PDTA114EU和PDTA115的多样特性使得它们适应于广泛的应用场景,包括但不限于:
在消费电子、工业控制和通信设备中,PDTA114EU和PDTA115均表现出良好的适应性。其小巧的封装设计(SOT-323)也使得其易于在空间有限的电路板上进行布置,尤其适合便携式设备和紧凑型电子产品。
Nexperia作为业界知名的半导体厂商,其产品的品质和可靠性在市场上享有良好的声誉。PDTA114EU和PDTA115晶体管的一致性和稳定性使得它们在批量生产和应用中具备了竞争优势。此外,这些晶体管的高频特性与低功耗特性使其能够满足现代电子设备对性能和效率的双重要求。
综上所述,PDTA114EU和PDTA115是出色的PNP类型预偏置晶体管,适用于多种电子应用。凭借其优异的电气特性、紧凑的封装设计以及可靠的性能表现,这款晶体管能够在广泛的应用场景中满足设计工程师的高标准需求,是高效低功耗电路设计的理想选择。