IRFR210TRPBF
IRFR210TRPBF参数
| 漏源电压（Vdss） | 200V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 2.6A |
| 栅源极阈值电压 | 4V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 1.5Ω @ 1.6A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 2.5W | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.6A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.5 欧姆 @ 1.6A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 8.2nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 140pF @ 25V | 功率耗散（最大值） | 2.5W（Ta），25W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | D-Pak | 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
IRFR210TRPBF手册
IRFR210TRPBF概述
产品概述：IRFR210TRPBF N沟道MOSFET
一、基本概述
IRFR210TRPBF是一款高性能N沟道金属氧化物场效应晶体管（MOSFET），由威世（VISHAY）制造，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动及其他电源管理应用。该器件在200V的漏源电压和2.6A的持续漏极电流的规格下，具有出色的导通性能与热稳定性，适合各种对功率和效率有要求的电路设计。
二、技术参数
漏源电压（Vdss）: 200V
- 支持高电压应用，能够处理各种电源电压范围。
连续漏极电流（Id）: 2.6A @ 25°C
- 在25°C的环境条件下，IRFR210TRPBF能够提供稳定的电流，大大增强电路的可靠性。
栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 4V @ 250µA
- 栅极开启电压适中，易于与各种驱动电路兼容，确保器件正常工作。
漏源导通电阻（Rds(on)）: 1.5Ω @ 1.6A, 10V
- 在额定条件下，低导通电阻有效降低了功耗，提高了效率，减少了发热。
最大功率耗散: 2.5W @ Ta=25°C; 25W @ Tc
- 允许的最大功率耗散使设计工程师能够在高温条件下使用该器件，而不至于过热。
工作温度范围: -55°C ~ 150°C
- 宽工作温度范围使得IRFR210TRPBF可在极端环境中稳定工作，适合恶劣条件下的应用。
三、封装与安装
IRFR210TRPBF采用D-Pak（TO-252-3）封装，具有良好的散热性能和较小的占板面积，适合表面贴装（SMD）应用。D-Pak封装的设计旨在提供可靠的电气连接和良好的热管理，方便在高密度电路板上应用。
四、应用场景
开关电源: IRFR210TRPBF因其高电压和电流承载能力，广泛用于AC-DC和DC-AC变换器中，满足高效电源管理的需求。
电机驱动: 在电机控制电路中，该MOSFET能够以低通态电阻和高开关速度实现精准控制，为电动机提供稳定的驱动。
DC-DC转换器: 用于降压、升压转换，IRFR210TRPBF能够在高频开关操作中提供稳定、高效的性能。
LED驱动电路: 适用于LED照明应用，通过高效开关，控制电流，从而实现更长的LED使用寿命和更高的能效。
五、总结
总之，IRFR210TRPBF是一款性能优异的N沟道MOSFET，适合各种高效电源管理和驱动应用，凭借其高电压容量、低导通电阻、宽工作温度区间和稳定性，为现代电子设计提供了强大的支持。其D-Pak封装的设计不仅适合表面贴装，还提高了散热效率，能满足高密度电路板的需求，为设计师提供了更多的灵活性和设计自由度。无论是用于工业设备、消费电子还是汽车电子领域，IRFR210TRPBF均是可靠且高效的选择。