封装/外壳 | SC-70,SOT-323 | FET 类型 | N 通道 |
电压 - 击穿 (V(BR)GSS) | 50V | 不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss) | 1.2mA @ 10V |
不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off) | 1.5V @ 100nA | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 13pF @ 10V |
功率 - 最大值 | 100mW | 工作温度 | 125°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | USM |
2SK880-Y(TE85L,F) 是一款高性能的 N 通道结型场效应管 (JFET),由东芝(TOSHIBA)公司设计和制造。该器件广泛应用于各种电子设备和电路中,如信号放大、开关控制和射频应用等。凭借其优异的电气特性和紧凑的封装,这款器件是现代电子工程中不可或缺的重要组成部分。
封装和外形:该器件采用 SC-70 和 SOT-323 两种小型封装形式,适用于要求高密度安装的电路板。这种紧凑设计使得 2SK880-Y 适合在空间有限的应用场合,如便携式设备和高集成度电子产品。
工作电压和电流特性:
输入电容 (Ciss):该器件的输入电容 Ciss(最大值)为 13pF @ 10V,这表明其具备良好的高频特性,适合应用于 RF 信号处理和放大领域。
功率处理能力:器件的最大功率处理能力为 100mW,使其在多种负载条件下都能保持良好的稳定性。
工作温度范围:工作温度可达到 125°C(TJ),这一点保证了该器件在严苛环境条件下的可靠性,非常适合工业和汽车应用。
表面贴装设计:作为一种表面贴装型器件,2SK880-Y 可以采用自动化生产线进行高效装配,提升了生产效率和减小了产品尺寸。
2SK880-Y(TE85L,F) JFET 因其良好的电气性能和小型封装,广泛用于以下应用场景:
音频和视频设备:用于信号放大和开关,保证较低的噪声和失真,提升音频和视频质量。
射频放大器:由于其低输入电容和良好的截止特性,这款器件特别适用于高频 RF 放大器电路,可以实现高效的信号放大和处理。
传感器接口:适合接口许多种类的传感器,尤其是在需要将微弱信号放大到可用电平的应用中。
便携式电子产品:如移动电话、掌上电脑和消费类电子产品等,对体积和功耗要求较高的应用场合。
自动化和工业控制设备:由于其高温工作能力,适合在工业环境中使用,能在较高温度下保持良好性能。
总的来说,2SK880-Y(TE85L,F) 是一款设计精良、性能优越的 N 通道 JFET,适合广泛应用于现代电子技术的各个领域。其优秀的电气特性、紧凑的封装设计及可靠性,使其成为电子工程师在设计过程中非常青睐的选择。无论是消费电子、工业设备还是其他专业应用,它都展示出强大的应用潜力,为产品的性能和用户体验提供了有力保障。