AON4803 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

AON4803

商品编码: BM0000001151
品牌 : 
AOS
封装 : 
DFN3x2A-8L
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -2.7A; 1.1W; DFN8
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
2.68
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥2.68
--
100+
¥2.14
--
750+
¥1.91
--
1500+
¥1.81
--
18000+
产品参数
产品手册
产品概述

AON4803参数

功率(Pd)1.7W商品分类场效应管(MOSFET)
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)90mΩ@3.4A,4.5V工作温度-55℃~+150℃@(Tj)
栅极电荷(Qg@Vgs)8nC@4.5V漏源电压(Vdss)20V
类型2个P沟道输入电容(Ciss@Vds)745pF@10V
连续漏极电流(Id)3.4A阈值电压(Vgs(th)@Id)1V@250uA

AON4803手册

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AON4803概述

AON4803 产品概述

1. 产品简介

AON4803是一款高性能的P-MOSFET,属于AOS(Alpha & Omega Semiconductor)公司的产品系列。该器件采用DFN3x2A-8L封装,具有优良的电气特性与小型化设计,特别适用于要求高效率与低功耗的电子应用。AON4803在其设计上强调了在-20V的电压范围内的高致动性能,最大持续电流为-2.7A,以及功率耗散能力达到1.1W,适合各类便携式和嵌入式设备中的应用。

2. 主要特点

  • 器件类型:双沟道P-MOSFET
  • 额定电压:-20V
  • 最大连续电流:-2.7A
  • 最大功率耗散:1.1W
  • 封装类型:DFN3x2A-8L
  • 具有低导通电阻:提供较低的损耗
  • 开关速度快:适合高频应用
  • 热性能优越:可在严格的环境条件下运行

3. 应用领域

AON4803非常适合广泛的电子应用场景,具体包括但不限于:

  • 电源管理:可用于DC-DC转换器中,优化效率和稳定性。
  • 负载开关:在各种消费电子产品中,如智能手机、平板电脑和其他移动设备中,进行精确的电源控制。
  • 电机驱动:适用于小型电机控制,确保出色的响应性能。
  • LED驱动电路:用于高效的LED照明解决方案中,实现温度控制与长寿命。

4. 性能参数

AON4803的关键性能参数使其在众多竞争产品中脱颖而出。其最大导通电阻(Rds(on))极低,噪声水平也得到了有效控制,确保传输效率。此组件在高频操作中表现出色,同时能够承受一定的瞬态电击。这些特点使得AON4803成为设计师在选用MOSFET时的理想选择。

5. 封装与设计

DFN(Dual Flat No-lead)封装是一种无引脚的封装形式,具有良好的散热性能和小型化优势。AON4803的DFN3x2A-8L封装不仅有助于降低PCB的尺寸,同时也增强了设备的耐热性和电气绝缘性。这种紧凑的封装设计使得在空间有限的设计中,允许更高的元器件密度,符合现代电子产品对小型化和轻量化的需求。

6. 结论

AON4803凭借其卓越的电气性能、小巧的封装以及广泛的应用范围,已成为市场上备受欢迎的P-MOSFET选择。无论是考虑到能效、尺寸还是成本效益,AON4803都能表现出色,是设计师和工程师在开发新一代电子产品时的重要考虑对象。随着电子设备的不断更新换代,对高性能MOSFET的需求也在提升,AON4803无疑将在未来的技术发展中扮演关键角色。