功率(Pd) | 1.7W | 商品分类 | 场效应管(MOSFET) |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 90mΩ@3.4A,4.5V | 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 8nC@4.5V | 漏源电压(Vdss) | 20V |
类型 | 2个P沟道 | 输入电容(Ciss@Vds) | 745pF@10V |
连续漏极电流(Id) | 3.4A | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA |
AON4803是一款高性能的P-MOSFET,属于AOS(Alpha & Omega Semiconductor)公司的产品系列。该器件采用DFN3x2A-8L封装,具有优良的电气特性与小型化设计,特别适用于要求高效率与低功耗的电子应用。AON4803在其设计上强调了在-20V的电压范围内的高致动性能,最大持续电流为-2.7A,以及功率耗散能力达到1.1W,适合各类便携式和嵌入式设备中的应用。
AON4803非常适合广泛的电子应用场景,具体包括但不限于:
AON4803的关键性能参数使其在众多竞争产品中脱颖而出。其最大导通电阻(Rds(on))极低,噪声水平也得到了有效控制,确保传输效率。此组件在高频操作中表现出色,同时能够承受一定的瞬态电击。这些特点使得AON4803成为设计师在选用MOSFET时的理想选择。
DFN(Dual Flat No-lead)封装是一种无引脚的封装形式,具有良好的散热性能和小型化优势。AON4803的DFN3x2A-8L封装不仅有助于降低PCB的尺寸,同时也增强了设备的耐热性和电气绝缘性。这种紧凑的封装设计使得在空间有限的设计中,允许更高的元器件密度,符合现代电子产品对小型化和轻量化的需求。
AON4803凭借其卓越的电气性能、小巧的封装以及广泛的应用范围,已成为市场上备受欢迎的P-MOSFET选择。无论是考虑到能效、尺寸还是成本效益,AON4803都能表现出色,是设计师和工程师在开发新一代电子产品时的重要考虑对象。随着电子设备的不断更新换代,对高性能MOSFET的需求也在提升,AON4803无疑将在未来的技术发展中扮演关键角色。