漏源电压(Vdss) | 20V | 连续漏极电流(Id)(25°C 时) | 200mA |
栅源极阈值电压 | 1V @ 100uA | 漏源导通电阻 | 1.2Ω @ 200mA,4.5V |
最大功率耗散(Ta=25°C) | 150mW | 类型 | P沟道 |
FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 200mA(Ta) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 1.2V,4.5V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 1.2 欧姆 @ 200mA,4.5V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 1V @ 100µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 1.4nC @ 4.5V | Vgs(最大值) | ±10V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 115pF @ 10V | 功率耗散(最大值) | 150mW(Ta) |
工作温度 | 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | EMT3 | 封装/外壳 | SC-75,SOT-416 |
产品名称: RZE002P02TL
品牌: ROHM(罗姆)
封装类型: EMT3 (SC-75/SOT-416)
RZE002P02TL 是一种高性能 P 沟道增强型 MOSFET,专为低功耗和小型化电子设备设计。作为 ROHM 公司的优质产品,它采用了先进的 MOSFET 技术,广泛应用于便携式电子设备、开关电源、马达驱动及其他自动化系统中。
RZE002P02TL 的设计理念尤为符合现代电子设备对体积小、功耗低、效率高的需求,具体应用包括但不限于:
RZE002P02TL 是一款将高性能与小型化完美结合的 P 沟道 MOSFET,适用于各种低电压和低功耗的电路设计。其优良的电气特性、灵活的应用范围及出色的热性能,使其成为现代电子设备理想的选择。无论是在便携式产品还是在各类自动化控制系统中,RZE002P02TL 均能展现出卓越的质量与可靠性,是设计师在选择电子元器件时值得信赖的合作伙伴。