SIR871DP-T1-GE3
SIR871DP-T1-GE3参数
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 20 毫欧 @ 20A，10V | 漏源电压（Vdss） | 100V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.6V @ 250µA | 功率耗散（最大值） | 89W（Tc） |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 3395pF @ 50V | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 90nC @ 10V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 48A（Tc） | Vgs（最大值） | ±20V |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
SIR871DP-T1-GE3手册
SIR871DP-T1-GE3概述
SIR871DP-T1-GE3 产品概述
SIR871DP-T1-GE3 是由 VISHAY（威世）公司生产的一款高性能 P 通道 MOSFET，采用先进的 PowerPAK® SO-8 封装设计。这款器件专为高效能和高密度应用而设计，能够在 -55°C 至 150°C 的广泛工作温度范围内稳定工作，满足现代电子设备对高可靠性的需求。
主要参数
导通电阻（Rds On）: SIR871DP-T1-GE3 在 20A 和 10V 的条件下，其最大导通电阻仅为 20 毫欧。极低的导通电阻有助于降低导通损耗，提高整体系统效率。
漏源电压（Vdss）: 该器件的最大漏源电压为 100V，适用于中等电压的应用场合。
电流能力（Id）: 在连续操作条件下，SIR871DP-T1-GE3 可以承载高达 48A 的漏极电流（Tc），适用于高电流输出的电源及驱动电路。
功率耗散: 该器件的最大功率耗散为 89W（Tc），能够支撑较大功率的应用场景，确保在重负荷情况下也能稳定工作。
阈值电压（Vgs(th)）: 在 250µA 电流下，最大阈值电压为 2.6V，可以方便地与各种控制电路接口。
驱动电压: SIR871DP-T1-GE3 的驱动电压范围为 4.5V 至 10V。在不同的 Vgs 下，其输入电容（Ciss）最大值为 3395pF（@50V），适用于多种开关频率要求的电路设计。
栅极电荷（Qg）: 在 10V 的驱动下，该器件的最大栅极电荷为 90nC，确保快速开关特性，适合需求快速响应的应用。
应用场景
SIR871DP-T1-GE3 的设计目标是为各种应用提供高性能，包括但不限于：
DC-DC 转换器: 极低的 Rds On 和高电流能力使得它非常适合用于 DC-DC 转换器的重要开关环节，能够有效提高转换效率。
电源管理: 在电池供电的设备中，可以使用这款器件作为电源开关，减少功耗，延长电池使用时间。
马达驱动: 该器件适合用作马达驱动系统中的功率开关，能够承受较大的电流并提供快速响应。
负载开关: SIR871DP-T1-GE3 可用于各种负载开关应用中，尤其是在需要快速启停控制的场合，例如 LED 灯的驱动。
性能优势
选用 SIR871DP-T1-GE3 的主要优势包括：
高效率: 低导通电阻和高功率处理能力相结合，大幅降低了能量损耗，提升了整体效率。
可靠性: 设计过程中考虑的广泛工作温度范围和强大的功率承载能力，确保了产品在严苛环境下的稳定性和安全性。
适应性强: 由于其广泛的参数范围和高性能，该器件能够适应多种不同应用需求，为设计师提供了更多的灵活性。
简化设计: 表面贴装型的封装（PowerPAK® SO-8）使得在电路板上的布局更加简便，为集成设计提供了便利。
综上所述，SIR871DP-T1-GE3 作为一款高效能、低损耗的 P 通道 MOSFET，是现代电子设计中值得信赖的选择，适用于各种对功率、效率及可靠性有高要求的应用场合。