功率(Pd) | 46W | 反向传输电容(Crss@Vds) | 0.5pF@480V |
商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 750mΩ@10V,2.5A |
工作温度 | -55℃~+150℃ | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 15nC@10V |
漏源电压(Vdss) | 650V | 类型 | 1个N沟道 |
输入电容(Ciss@Vds) | 370pF@50V | 连续漏极电流(Id) | 5A |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA |
NCE65T900K是一款由新洁能(NCE)生产的功率MOSFET(场效应晶体管),广泛应用于各种电子设备和电路设计中。这款器件的封装形式为TO-252,整体设计旨在提供高效率、低开关损耗和良好的热管理特性。以下是对该产品的详细概述,包括其主要规格、应用领域和优势。
封装类型: TO-252(也称为DPAK)
电气特性:
开关速度:
NCE65T900K因其可靠的电气性能和散热特性,适用于多种应用场景,包括但不限于:
NCE65T900K作为新洁能推出的一款优质功率MOSFET,凭借其高耐压、低导通电阻以及出色的散热性能,已成为电子设计中的重要元器件之一。其广泛的应用范围和高效的电气特性使它适用于开关电源、电机控制和电池管理等多种领域。对于设计师而言,选择NCE65T900K可以带来更高效的电路设计和更优质的产品表现,是现代电子产品中不可或缺的关键元件之一。