NCE65T900K 产品实物图片
NCE65T900K 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

NCE65T900K

商品编码: BM0000001117
品牌 : 
NCE(新洁能)
封装 : 
TO-252-2
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
-
库存 :
2500(起订量1,增量1)
批次 :
24+
数量 :
X
1.95
按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.95
--
100+
¥1.26
--
1250+
¥1.248
--
25000+
产品参数
产品手册
产品概述

NCE65T900K参数

功率(Pd)46W反向传输电容(Crss@Vds)0.5pF@480V
商品分类场效应管(MOSFET)导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)750mΩ@10V,2.5A
工作温度-55℃~+150℃栅极电荷(Qg@Vgs)15nC@10V
漏源电压(Vdss)650V类型1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)370pF@50V连续漏极电流(Id)5A
阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA

NCE65T900K手册

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无数据

NCE65T900K概述

NCE65T900K是一款由新洁能(NCE)生产的功率MOSFET(场效应晶体管),广泛应用于各种电子设备和电路设计中。这款器件的封装形式为TO-252,整体设计旨在提供高效率、低开关损耗和良好的热管理特性。以下是对该产品的详细概述,包括其主要规格、应用领域和优势。

主要规格

  1. 封装类型: TO-252(也称为DPAK)

    • TO-252封装提供良好的散热能力,方便在高功率应用中使用。
    • 该封装通常具有三引脚设计,符合工业标准,适合自动化生产线焊接。
  2. 电气特性:

    • 耐压: NCE65T900K可承受高达650V的电压,这使其可以在高电压环境中安全操作。
    • 导通电阻: 该MOSFET在导通状态下具有较低的Rds(on),通常在数十毫欧姆级别,意味着在运行中会产生较低的热量,提高整体效率。
    • 最大漏极电流: 通常可通过其规格书确认该参数,适合用于需要高电流的应用场景。
  3. 开关速度:

    • NCE65T900K具有较快的开关速度,非常适合高频开关电源应用,降低开关损耗并提高效率。

应用领域

NCE65T900K因其可靠的电气性能和散热特性,适用于多种应用场景,包括但不限于:

  1. 开关电源: 在AC-DC或DC-DC转换器中作为开关元件,能有效提高电源转换效率。
  2. 电机驱动: 适用于无刷直流电机(BLDC)和步进电机驱动器,提供高效的功率转换和控制能力。
  3. 电池管理系统: 在电池充电和放电过程中用作功率开关,保证高效能和安全性。
  4. LED驱动电路: 在LED照明驱动电路中使用可以帮助实现高效能的LED控制和调光应用。
  5. 电源管理设备: 用于各种电源管理IC或模组中,实现对功率的稳定控制。

优势和特点

  • 高可靠性: NCE65T900K通过严格的质量控制,确保其在高温和高负载条件下的稳定性,适合在严酷的操作环境中使用。
  • 高效率: 由于其低导通电阻和高开关速度,该MOSFET能够显著降低能量损耗,提高整体系统效率,从而延长设备使用寿命。
  • 良好的热性能: TO-252封装设计利于散热,可有效降低器件在高负载下的热敏感性,维持稳定的工作温度。
  • 容易集成: 兼容性强,可与多种控制芯片及其他外围电路集成,方便设计师在电路板上布置。

总结

NCE65T900K作为新洁能推出的一款优质功率MOSFET,凭借其高耐压、低导通电阻以及出色的散热性能,已成为电子设计中的重要元器件之一。其广泛的应用范围和高效的电气特性使它适用于开关电源、电机控制和电池管理等多种领域。对于设计师而言,选择NCE65T900K可以带来更高效的电路设计和更优质的产品表现,是现代电子产品中不可或缺的关键元件之一。