安装类型 | 表面贴装型 | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 45 毫欧 @ 6A,10V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 6.9A | FET 类型 | 2 个 P 沟道(双) |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 722pF @ 25V | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 13.7nC @ 10V | 漏源电压(Vdss) | 30V |
FET 功能 | 逻辑电平门 | 功率 - 最大值 | 2.5W |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2.1V @ 250µA |
DMP3056LSD-13 是一种高性能的双极 P 型场效应管(MOSFET),其主要特点是具有较低的导通电阻、优异的热性能以及宽广的工作温度范围。它采用了SO-8封装,适合表面贴装技术(SMD),广泛应用于电源管理、开关电源、马达驱动、以及其他电力转换的电路中。
DMP3056LSD-13 MOSFET 适合各种电力转换和控制应用场景,主要包括但不限于:
DMP3056LSD-13是一款性价比高、性能卓越的双 P 沟道场效应管,非常适合现代电子设备中对效率和可靠性要求极高的电力管理应用。无论是在仪器仪表、工业控制还是消费电子领域,该产品都展现出了其广泛的适用性和卓越的表现,是设计师和工程师优选的元器件之一。通过选择DMP3056LSD-13,用户可以有效提升其产品的性能和竞争力。