BSC040N10NS5 产品实物图片
BSC040N10NS5 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

BSC040N10NS5

商品编码: BM0000001016
品牌 : 
Infineon(英飞凌)
封装 : 
PG-TDSON-8
包装 : 
编带
重量 : 
1g
描述 : 
场效应管(MOSFET) BSC040N10NS5 TDSON8
库存 :
159(起订量1,增量1)
批次 :
23+
数量 :
X
5.11
按整 :
圆盘(1圆盘有5000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥5.11
--
100+
¥4.25
--
1250+
¥3.93
--
2500+
¥3.75
--
5000+
¥3.57
--
50000+
产品参数
产品手册
产品概述

BSC040N10NS5参数

功率(Pd)139W反向传输电容(Crss@Vds)49pF@50V
商品分类场效应管(MOSFET)导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)4mΩ@10V,50A
工作温度-55℃~+150℃栅极电荷(Qg@Vgs)72nC@10V
漏源电压(Vdss)100V输入电容(Ciss@Vds)5.3nF@50V
连续漏极电流(Id)86A阈值电压(Vgs(th)@Id)3.8V@95uA

BSC040N10NS5手册

BSC040N10NS5概述

BSC040N10NS5 MOSFET 产品概述

1. 产品简介

BSC040N10NS5 是由知名半导体制造商英飞凌(Infineon)推出的一款场效应管(MOSFET),属于高性能的N通道MOSFET系列。其采用了先进的半导体技术,专为电源管理、驱动电机和开关应用设计。凭借其出色的导通电阻和快速的开关速度,BSC040N10NS5 非常适合各种高效能应用,尤其是在高频和高电流的操作环境中。

2. 封装信息

BSC040N10NS5 采用 PG-TDSON-8 封装,这种表面贴装(SMD)封装形式具有小巧的结构和良好的散热性能,能够有效降低器件的工作温度,提高系统的可靠性和效率。PG-TDSON-8 封装的设计旨在提高PCB的空间利用率,同时提供良好的电气性能,方便在各种电子设备中进行应用。

3. 技术规格

  • 导通电阻 (R_DS(on)): BSC040N10NS5 在 V_GS = 10V 时的典型导通电阻值约为 4 mΩ(毫欧),这使得在高电流应用中,功率损耗被有效降低。
  • 漏极-源极击穿电压 (V_BDSS): 该器件的最大漏极-源极击穿电压可以达到 100V,适合大多数中高电压电源应用。
  • 栅极电压 (V_GS): 该 MOSFET 的驱动电压范围较宽,最高可达到 ±20V,为设计人员在驱动电路时提供了灵活性。

4. 应用场景

BSC040N10NS5 是一款多功能的MOSFET,广泛应用于:

  • 电源转换器: 由于其低导通电阻,适用于开关电源(SMPS)及DC-DC转换器,可以提高能效,降低热量产生。
  • 电机驱动: 在电动机控制电路中,其快速开关性能能够提高电机运行效率,降低噪声。
  • 射频(RF)应用: 具有较高的开关速度和整合度,适用于高频率的射频放大器电路。
  • LED 驱动器: 低导通电阻和高效能使其在LED驱动电路中成为理想选择,能提高整个照明系统的效率。

5. 竞争优势

与同类产品相比,BSC040N10NS5 在多个方面展现出竞争力:

  • 低导通电阻: 使得在高负载条件下发热量减少,提高元件的使用寿命。
  • 优异的开关特性: 支持更高的开关频率,适用于更复杂的电源方案。
  • 可靠性: 英飞凌以其高质量的生产工艺闻名,BSC040N10NS5 在稳定性和长期可靠性方面表现出色。

6. 总结

BSC040N10NS5 是一款高性能的N通道MOSFET,凭借其低导通电阻、高击穿电压和优异的开关特性,适合多种应用场景,尤其在电源管理和电机驱动领域中展现了良好的性能。采用 PG-TDSON-8 封装,不仅有效提高了产品的热性能,还能够节省PCB空间。无论是工业应用、消费电子,还是汽车电子,BSC040N10NS5 都为设计师提供了可靠的解决方案。通过了解其特性与应用,可以帮助工程师在设计新产品时做出更加明智的选择。