功率(Pd) | 139W | 反向传输电容(Crss@Vds) | 49pF@50V |
商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 4mΩ@10V,50A |
工作温度 | -55℃~+150℃ | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 72nC@10V |
漏源电压(Vdss) | 100V | 输入电容(Ciss@Vds) | 5.3nF@50V |
连续漏极电流(Id) | 86A | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3.8V@95uA |
BSC040N10NS5 是由知名半导体制造商英飞凌(Infineon)推出的一款场效应管(MOSFET),属于高性能的N通道MOSFET系列。其采用了先进的半导体技术,专为电源管理、驱动电机和开关应用设计。凭借其出色的导通电阻和快速的开关速度,BSC040N10NS5 非常适合各种高效能应用,尤其是在高频和高电流的操作环境中。
BSC040N10NS5 采用 PG-TDSON-8 封装,这种表面贴装(SMD)封装形式具有小巧的结构和良好的散热性能,能够有效降低器件的工作温度,提高系统的可靠性和效率。PG-TDSON-8 封装的设计旨在提高PCB的空间利用率,同时提供良好的电气性能,方便在各种电子设备中进行应用。
BSC040N10NS5 是一款多功能的MOSFET,广泛应用于:
与同类产品相比,BSC040N10NS5 在多个方面展现出竞争力:
BSC040N10NS5 是一款高性能的N通道MOSFET,凭借其低导通电阻、高击穿电压和优异的开关特性,适合多种应用场景,尤其在电源管理和电机驱动领域中展现了良好的性能。采用 PG-TDSON-8 封装,不仅有效提高了产品的热性能,还能够节省PCB空间。无论是工业应用、消费电子,还是汽车电子,BSC040N10NS5 都为设计师提供了可靠的解决方案。通过了解其特性与应用,可以帮助工程师在设计新产品时做出更加明智的选择。