PMEG3030EP,115 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

PMEG3030EP,115

商品编码: BM0000000991
品牌 : 
Nexperia(安世)
封装 : 
CFP5
包装 : 
编带
重量 : 
0.057g
描述 : 
肖特基二极管 360mV@3A 30V 5mA@30V 3A SOD-128
库存 :
108325(起订量1,增量1)
批次 :
24+
数量 :
X
0.836
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.836
--
200+
¥0.576
--
1500+
¥0.524
--
3000+
¥0.49
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述

PMEG3030EP,115参数

直流反向耐压(Vr)30V平均整流电流(Io)3A
正向压降(Vf)360mV @ 3A二极管类型肖特基
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)30V电流 - 平均整流 (Io)3A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)360mV @ 3A速度快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏5mA @ 30V不同 Vr、F 时电容470pF @ 1V,1MHz
安装类型表面贴装型封装/外壳SOD-128
供应商器件封装CFP5工作温度 - 结150°C(最大)

PMEG3030EP,115手册

PMEG3030EP,115概述

产品概述:PMEG3030EP,115 肖特基二极管

一、基本信息

PMEG3030EP,115 是一款高性能的肖特基二极管,具有出色的电气特性,广泛应用于电源整流、逆变器、开关电源和其他高频电路中。该器件由Nexperia(安世)公司制造,封装类型为CFP5(SOD-128),适用于表面贴装应用。

二、关键参数

  1. 直流反向耐压(Vr): 30V

    • 该参数表示二极管能够承受的最大反向电压,PMEG3030EP,115 在高达30V的条件下提供可靠的工作性能,适合多种低压应用场景。
  2. 平均整流电流(Io): 3A

    • 二极管的平均整流电流为3A,意味着在实际使用中,它可以处理的平均电流负载为3安培,适合大部分中等负载电路。
  3. 正向压降(Vf): 360mV @ 3A

    • 在3A的条件下,正向压降仅为360mV,这一较低的压降有效减少了功耗和热量的产生,从而提高了电源效率。
  4. 反向泄漏电流: 5mA @ 30V

    • 在30V的反向电压下,反向泄漏电流仅为5mA,这表明该二极管在关闭状态下表现良好,有助于提高电路的整体可靠性。
  5. 电容特性: 470pF @ 1V, 1MHz

    • 该器件在1MHz频率下,电容为470pF,适合高频信号及开关电源环境,能够有效抑制寄生参数的影响。
  6. 速度: 快速恢复 =< 500ns

    • PMEG3030EP,115 的快速恢复特性确保其能够在高频应用中迅速响应,适合需要快速开关的电路设计。
  7. 工作温度: 结温最高可达150°C

    • 该器件可在高达150°C的环境温度下正常工作,非常适合要求高温稳定性的应用。

三、应用场景

PMEG3030EP,115 基于其优良的正向压降和反向耐压,适用于以下领域:

  • 开关电源(SMPS): 可以有效地转换电压,同时保持低损耗,适合用于AC-DC转换、DC-DC变换等。
  • 电池管理: 在电池充放电过程中,作为整流器使用以减少能量损失。
  • 电子电路保护: 在电路中串接保护器件,防止过压和反向连接。
  • LED驱动电路: 在LED照明系统中作为整流二极管,提高系统效率。

四、竞争优势

  1. 低正向压降: 与传统二极管相比,PMEG3030EP,115 实现了更低的正向压降,显著降低了能量损耗,特别在高频应用中尤为显著。
  2. 高反向耐压: 具备30V的直流反向耐压,适应多种电源设计需求,能够承受瞬时过载,提升电源的稳定性。
  3. 高速操作特性: 快速恢复和较低的反向泄漏,确保在高频开关的情况下仍能保持良好的性能,提升系统的响应速度。
  4. 高度集成的封装: SOD-128封装设计紧凑,适合各种小型电子设备,减小了PCB面积,提高设计的灵活性。

五、总结

PMEG3030EP,115 是一款性能卓越的肖特基二极管,以其低压降、高效率和优良的热性能,成为电源设计和其他高频应用中不可或缺的组件。凭借Nexperia的技术支持和可靠性,PMEG3030EP,115 助力于开发更高效、稳定的电子产品。