晶体管类型 | PNP | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 3A |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 40V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 390mV @ 150mA,3A |
电流 - 集电极截止(最大值) | 50nA(ICBO) | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 300 @ 10mA,2V |
功率 - 最大值 | 1.5W | 频率 - 跃迁 | 200MHz |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | SOT-23-3 扁平引线 | 供应商器件封装 | SOT-23F |
产品类型与特性
ZXTP07040DFFTA 是一种高性能的PNP型晶体管,特别设计用于表面贴装应用,采用 SOT-23F 封装。该器件由美台(DIODES)公司生产,具备优异的电流处理能力和电压耐受能力,适用于各种电子电路的开关和放大功能。
电气特性
ZXTP07040DFFTA 的集电极电流(Ic)最大可达 3A,使得它能够在高负载情况下稳定工作。这使得该晶体管非常适合用于电源管理和驱动应用,例如电机、电磁阀及其他高功率器件。此外,其最大集射极击穿电压(Vceo)为 40V,意味着它能够在多个应用中承受较高的电压环境而不发生击穿。
在饱和状态下,不同 Ib 和 Ic 的条件下,Vce 饱和压降最大为 390mV,在150mA及3A的工作条件下也能保持良好的性能。这种低的饱和压降有助于提高电路的效率,减少能量损耗,适用于高效能的电源设计。
增益与截止电流
ZXTP07040DFFTA 的直流电流增益(hFE)在 10mA 极小条件下,可以达到最小 300,2V 的工作条件下,这意味该晶体管在小信号放大时可以提供良好的增益性能。同时,该设备的集电极截止电流(ICBO)最大为 50nA,这保证了在关闭状态下的极小泄漏电流,从而增强了整机的能效和可靠性。
频率与功耗
ZXTP07040DFFTA 的跃迁频率可达 200MHz,适用于高频操作的应用场景,比如开关电源和射频放大器等。这一特性使得它在现代通信和数字设备中广泛应用。同时,功率最大为 1.5W,能够满足一般中小功率应用的要求。
工作温度与环境适应性
该产品确保在极广的工作温度范围内稳定运行,工作温度范围为 -55°C 至 150°C,适合用于各种恶劣环境下的电子设备。这一特性使得 ZXTP07040DFFTA 特别适用于航天、军事和工业等领域,确保其在极端环境下的可靠性。
封装与安装
SOT-23F 封装的设计使得 ZXTP07040DFFTA 骨架小巧,便于在空间受限的电路板上布局。表面贴装型的设计符合现代电子设备对小型化、高密度电路设计的需求,方便施工焊接,提高生产效率。
应用场合
ZXTP07040DFFTA 可广泛应用于多个领域的产品,比如:
ZXTP07040DFFTA 是一款高效能、高功率的PNP型晶体管,凭借其优良的电气性能和工作温度适应性,能够满足现代电子电路对低功耗、高效率的要求,适用于多种应用场合,是电子设计师和工程师的理想选择。