SI2356DS-T1-GE3
品牌 :
VISHAY(威世)
封装 :
TO-236
包装 :
编带
重量 :
0.035g
描述 :
场效应管(MOSFET) 960mW；1.7W 40V 4.3A 1个N沟道 SOT-23
库存 :
6810(起订量1,增量1)
批次 :
2年内数量 :
X
1.09按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥1.09
--
200+
￥0.837
--
1500+
￥0.728
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述
SI2356DS-T1-GE3参数
| 漏源电压（Vdss） | 40V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 4.3A(Tc) |
| 栅源极阈值电压 | 1.5V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 51mΩ @ 3.2A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 1.7W(Tc) | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4.3A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 51 毫欧 @ 3.2A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 13nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±12V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 370pF @ 20V | 功率耗散（最大值） | 960mW（Ta），1.7W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | TO-236 | 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
SI2356DS-T1-GE3手册
SI2356DS-T1-GE3概述
产品概述：SI2356DS-T1-GE3
SI2356DS-T1-GE3 是一款由VISHAY（威世）制造的高性能N沟道MOSFET（场效应管），具有出色的电气特性和热性能，广泛应用于开关电源、直流-直流转换器、马达驱动和负载开关等领域。它的封装类型为TO-236，适合表面贴装，能够满足现代电子设备对体积小、功耗低的需求。
关键技术参数
漏源电压（Vdss）：
- SI2356DS-T1-GE3的最大漏源电压为40V，使其能够在较高电压系统中稳定工作。这一特性使其非常适合于12V和24V等常见电源电压的应用。
连续漏极电流（Id）：
- 在25°C环境下，SI2356DS-T1-GE3的最大连续漏极电流为4.3A（Tc），适合承受较大负载，并在恒定工作条件下提供可靠性能。
导通电阻（Rds On）：
- 该器件在3.2A和10V的条件下，漏源导通电阻为51毫欧。这一低导通电阻值有助于减少导通损耗，提高整体效率。
阈值电压（Vgs(th)）：
- 栅源极阈值电压为1.5V（@250µA），使得器件在较低的门极驱动电压下也能迅速导通，满足自动化和快速开关应用的需求。
输入电容（Ciss）：
- 输入电容为370pF（@20V），较小的输入电容帮助增加切换速度，降低开关损耗，适合高频开关应用。
工作温度范围：
- SI2356DS-T1-GE3可以在-55°C到150°C的温度范围内工作，确保即使在苛刻的环境条件下仍能稳定运行。
功率耗散：
- 在温度为25°C时，该器件的最大功率耗散为1.7W，结合较高的散热能力，使其在实际应用中非常灵活。
封装特性
SI2356DS-T1-GE3采用TO-236封装（也称为SOT-23），具有小巧、便于集成的特点。该封装非常适合空间受限的电子电路，尤其是在便携式和轻量级设备中广受欢迎。此外，表面贴装技术（SMT）也进一步提升了其制造效率和装配速度。
应用场景
SI2356DS-T1-GE3因其优异的性能，适用于以下几种应用：
- DC-DC转换器：在电源管理模块中作为开关管，调节输出电压。
- 开关电源：实现快速电流切换，降低能耗，提高效率。
- 马达控制：在电机驱动电路中作开关元件，以实现电机的高效控制。
- 负载开关：控制负载开关的开启和关闭，在各种电子设备中提供控制信号。
总结
SI2356DS-T1-GE3是一款值得信赖的N沟道MOSFET，凭借其出色的导通电阻、宽工作温度范围和小巧的封装设计，成为现代电子电路设计中优选的元器件之一。无论是在电源管理、马达驱动还是高效开关电路中，SI2356DS-T1-GE3都能够满足设计者对性能和空间的双重要求，是高效能应用的理想选择。