SI4943CDY-T1-GE3

SI4943CDY-T1-GE3 产品概述

产品简介

SI4943CDY-T1-GE3 是一款由 VISHAY（威世）公司生产的高性能表面贴装型 MOSFET 阵列，它集合了两个 P 沟道晶体管，专为电源管理与信号处理而设计。这种双晶体管的排列使得其在空间受限的应用中表现出色，充分利用了电路板的每一寸。

主要参数

1. 安装类型：SI4943CDY-T1-GE3 采用表面贴装型（SMD），方便与现代自动化生产设备配合，提升了生产效率。
2. 导通电阻：在不同的漏极电流（Id）和栅源电压（Vgs）下，SI4943CDY-T1-GE3 的最大导通电阻为 19.2 毫欧（@ 8.3A，10V），在高负载条件下能够有效减少能量损耗。
3. 连续漏极电流：该产品在额定温度下的连续漏极电流达到峰值 8A，确保其能够承受在多种应用环境下的电流需求。
4. 漏源电压：SI4943CDY-T1-GE3 的漏源电压（Vdss）为 20V，这使其适合于低至中压的应用场景，能够安全工作于此电压范围内。
5. 功率额定值：该 MOSFET 的功率最大值为 3.1W，适合于需要高效能和低发热量的电源管理场合。
6. 工作温度范围：相对于工作温度，该器件的允许使用范围宽广，从 -50°C 到 150°C，使其能够在严格环境下可靠运行，满足高温和低温的应用需求。

结构与性能

SI4943CDY-T1-GE3 的双 P 沟道 MOSFET 设计不仅优化了电路的空间分配，也加强了其开关特性。较高的输入电容（Ciss）可达 1945pF（@ 10V）为其提供了稳定的电流转换能力。更重要的是，栅极电荷（Qg）达到最大值 62nC（@ 10V），该特性使得驱动要求更低，提高了驱动电路的效率。

应用场景

SI4943CDY-T1-GE3 适用于多种电子设备，尤其是：

• 电源管理系统，包括DC-DC转换器、直流电源开关等。
• 嵌入式系统，尤其是那些对空间有严格要求的移动设备。
• 器件驱动，适用于低功耗的负载控制。
• 工业设备中的线性电源及智能控制。
• 其他高频开关电路集成。

结论

综上所述，SI4943CDY-T1-GE3 是一款具备高效率和优异性能的 CMOS MOSFET 阵列，结合了适合的电气参数和广泛的应用场景特性，使其在现代电子产品中显得尤为重要。凭借其稳定性和出色的工作温度范围，这款 MOSFET 适合于电源系统的各种要求，满足了日益增长的高效能和高可靠性需求，成为多个领域的理想选择。