STD3NK60ZT4
STD3NK60ZT4参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 600V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.4A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 3.6 欧姆 @ 1.2A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 50µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 11.8nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±30V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 311pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 45W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | DPAK |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
STD3NK60ZT4手册
STD3NK60ZT4概述
STD3NK60ZT4 产品概述
一、产品概述
STD3NK60ZT4 是意法半导体（STMicroelectronics）制造的一款高性能N沟道MOSFET，该器件具有600V的漏源电压（V_DS），能够承受连续漏极电流2.4A，并且在工作温度范围内具有优良的热特性和电导率。这款产品广泛应用于高压电源转换、开关电源、逆变器及电机驱动等领域，适合各种工业和消费类电子产品的设计需求。
二、主要参数
- FET 类型：N通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）
- 漏源电压（V_DSS）：600V
- 连续漏极电流（I_D @ 25°C）：2.4A（在结温T_C下）
- 最大导通电阻（R_DS(on)）：3.6Ω @ 1.2A，10V
- 栅源阈值电压（V_GS(th)）：最大4.5V @ 50μA
- 栅极电荷（Q_g）：最大11.8nC @ 10V
- 栅极供电电压（V_GS（最大））：±30V
- 输入电容（C_iss）：311pF @ 25V
- 最大功率耗散：45W（T_C）
- 工作温度范围：-55°C ~ 150°C（T_J）
- 封装类型：DPAK（TO-252-3，DPak，2引线 + 接片，SC-63）
三、优越的性能特征
STD3NK60ZT4在设计时重点考虑了热管理和导通性能，其最大功率耗散为45W使其适用于高功率应用。同时，低导通电阻（3.6Ω @ 1.2A, 10V）使得该FET在低功耗和高效率方面表现优越，适用于需要长时间运行的高效电源系统。
四、应用领域
开关电源：由于其高电压及电流特性，STD3NK60ZT4非常适合用于高频开关电源，其中高Switching效率和低待机功耗是设计的关键需求。
逆变器：在可再生能源系统，例如太阳能逆变器中，STD3NK60ZT4具有优越的循环功耗和控制能力，可以有效地实现直流至交流的转换。
电机驱动：该MOSFET在各种电机控制器中也有广泛应用，包括无刷直流电机和步进电机控制，能够提供稳定的驱动和控制信号。
工业设备：在电力传输及工业自动化设备中，STD3NK60ZT4的高压特性满足了许多应用对耐压和散热的要求，使其在高压开关和控制应用中成为理想选择。
五、安装与兼容性
STD3NK60ZT4采用DPAK封装，便于表面贴装（SMD）技术，适合现代电子设备的大规模生产，这种封装的小尺寸和良好的焊接性，使其在密集布板中得到了广泛应用。同时，DPAK的结构设计有效改善了散热性能，提高了元件的可靠性。
六、总结
STD3NK60ZT4以其卓越的电压承受能力、低导通损耗、宽工作温度范围和优良的热特性，使其在高压和高效率电源领域中具有明显的竞争优势。意法半导体依靠其深厚的半导体技术经验，为广大的电子产品设计师和工程师提供了这个高性能的MOSFET解决方案。无论是在高频开关电源、逆变器还是电机驱动应用中，STD3NK60ZT4都是您值得信赖的选择。