FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 20V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 330mA(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 1.2V,4.5V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 1.9 欧姆 @ 100mA,4.5V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | .4nC @ 4.5V |
Vgs(最大值) | ±8V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 28.7pF @ 15V |
功率耗散(最大值) | 400mW(Ta) | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | 3-DFN0806H4 |
封装/外壳 | 3-XFDFN |
DMP22D4UFA-7B 是由 DIODES(美台)公司生产的一款高性能 P 通道 MOSFET(场效应管),其设计旨在满足各种现代电子设备的需求,具有广泛的应用潜力。此 MOSFET 主要适用于低压开关电源、负载开关、以及其他需要高效率的电路中,尤其在功率管理和电池驱动的设备中表现尤为突出。
DMP22D4UFA-7B 的主要特性包括:
得益于其出色的电气性能与宽广的环境适应性,DMP22D4UFA-7B 可广泛应用于多个领域,包括:
电源管理:尤其是在便携式设备中,如智能手机、平板电脑及便携式音响等,能够高效调节和分配电源,提高整体能效。
负载开关:其阈值电压低,能够高效控制负载,例如在LED驱动电路中,提供可靠的开关解决方案。
电池驱动设备:对于需要支持开关控制的大功率负载,能够有效管理电池的供电,提高设备的使用时间。
过压和过流保护:凭借出色的低导通阻抗,DMP22D4UFA-7B 也可被用于各种保护电路,确保系统的稳定性与安全性。
DMP22D4UFA-7B 是一款高效能的 P 通道 MOSFET,具备卓越的电气特性,能广泛应用于各类电子设备中。其极宽的工作温度范围和小巧的封装设计使该产品在极端环境下的可靠性得到保障,适合现代电子产品中对空间、效率与安全性的高要求。选择 DMP22D4UFA-7B,将是实现系统高效能与可靠性的理想选择。无论是设计新产品还是升级现有系统,此 MOSFET 都能够满足当今市场的严格要求。