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IRF7413ZTRPBF
品牌 :
Infineon(英飞凌)
封装 :
SO-8
包装 :
编带
重量 :
0.275g
描述 :
场效应管(MOSFET) 2.5W 30V 13A 1个N沟道 SOIC-8
库存 :
73(起订量1,增量1)
批次 :
22+数量 :
X
2.99按整 :
圆盘(1圆盘有4000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥2.99
--
100+
￥2.4
--
1000+
￥2.14
--
2000+
￥2.02
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4000+
￥1.92
--
24000+
产品参数
产品手册
产品概述
IRF7413ZTRPBF参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 13A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 10 毫欧 @ 13A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.25V @ 25µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 14nC @ 4.5V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1210pF @ 15V |
| 功率耗散（最大值） | 2.5W（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | 8-SO |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
IRF7413ZTRPBF手册
无数据
IRF7413ZTRPBF概述
产品概述：IRF7413ZTRPBF N通道MOSFET
1. 产品简介
IRF7413ZTRPBF是一款高效能的N通道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），专为需要高电流和高电压的电子应用而设计。作为一款30V、13A的MOSFET，IRF7413ZTRPBF适用于多种应用场景，包括开关电源、电机驱动、负载开关等，提供可靠的性能和出色的控制能力。
2. 关键参数
- 漏源电压（Vdss）： 最高可承受30V，适合于低压系统。
- 电流能力（Id）： 连续漏极电流为13A（在25°C环境温度下），让该器件能够满足高功率需求的电路。
- 导通电阻（Rds On）： 在10V栅极驱动电压下，最大导通电阻为10毫欧，这意味着在工作时能量损耗极小，提高了电路的整体效率。
- 栅极阈值电压（Vgs(th)）： 在25μA的条件下，最大阈值电压为2.25V，这使得MOSFET在较低的栅极电压下能够顺利导通，便于与微控制器和其他逻辑电平信号直接连接。
- 工作温度范围： 范围宽广，从-55°C到150°C，适合在极端环境下操作。
3. 封装与安装
IRF7413ZTRPBF采用表面贴装型封装（SO-8），其尺寸为0.154英寸（3.90mm宽），适合高密度电路板设计。SO-8封装提供良好的热散逸性能，有助于MOSFET在高负载情况下保持稳定。
4. 性能特点
- 高效率： 由于低Rds On，该器件在导通状态下的能量损耗极小，因此在高频率开关应用中可以有效降低发热，并提高能效。
- 快速开关： 栅极电荷（Qg）在4.5V时最大为14nC，使得该器件能够快速开关，适合在需要快速响应的应用中使用。
- 高输入电容（Ciss）： 在15V时最大输入电容为1210pF，这意味着在启动和关断过程中提供了良好的边缘快速转变性能。
5. 应用场景
IRF7413ZTRPBF广泛应用于：
- 开关电源（SMPS）： 作为开关元件，提高电源转换效率，降低功耗。
- 直流电机驱动： 用于电机控制电路，提供高电流的开关能力。
- 负载开关： 用于控制大功率负载的启停，保障设备的安全稳定运行。
- 电池管理系统： 在充放电过程中作电流开关，保护电池模块。
6. 供应商与制造商
该MOSFET由知名半导体厂商Infineon（英飞凌）生产，作为全球领先的电力管理和半导体解决方案供应商，Infineon以其高性能、高可靠性的产品而著称，确保了IRF7413ZTRPBF在各种应用中的长时间稳定运行。
结论
IRF7413ZTRPBF是一款为现代电子应用特别设计的高性能N通道MOSFET，凭借其优越的电气参数和可靠的工作特性，成为各类电子设备中不可或缺的元件。无论是在低压开关电源、直流电机驱动，还是在负载开关和电池管理系统中，都能提供优异的表现，是您构建高效能电子设计的理想选择。