STP6NK90Z
STP6NK90Z参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 900V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 5.8A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 2 欧姆 @ 2.9A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 100µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 60.5nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±30V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1350pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 140W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
STP6NK90Z手册
STP6NK90Z概述
STP6NK90Z 产品概述
基本信息：
STP6NK90Z 是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款N通道金属氧化物场效应晶体管（MOSFET），适用于高压和高功率的电源控制应用。该元器件的主要特性包括漏源电压高达900V、连续漏极电流为5.8A，最大功率耗散为140W，这使其成为在高电压环境下工作的重要选择。
主要特性：
高压性能:
STP6NK90Z 的漏源电压（Vdss）高达900V，使其能够在各种高电压应用中运行，满足工业电源、开关电源以及逆变器等设备的要求。导通电阻与功率耗散:
在10V的栅极驱动电压下，最大导通电阻（Rds On）为2Ω@2.9A。较低的导通电阻意味着在导通状态下的能量损耗较小，从而提高整体电路的效率。其最大功率耗散能力为140W，确保在高负载情况下工作的可靠性。温度范围:
STP6NK90Z 的工作温度范围为-55°C至150°C，这使其适用于严苛的环境条件。广泛的温度特性使此元器件能够在高温及低温应用中保持优异性能，适用于汽车、工业设备及其他需要稳定工作的场合。栅极驱动:
此MOSFET具有较高的栅极弹性，最大栅极驱动电压（Vgs）为±30V，确保了其在不同控制电路中的适应性。该器件的门极电荷（Qg）为60.5nC@10V，驱动电路的负担小，适合高频开关操作。封装特性:
STP6NK90Z 采用TO-220封装，适合通孔安装，方便散热管理和PCB设计。TO-220封装的设计使得此元器件在安装时能够有效地散热，延长元器件的使用寿命。输入电容:
在Vds为25V时，输入电容（Ciss）最大值为1350pF，这意味着在开关操作时，相对较小的输入电容能够支持更快的开关速度，减少开关延迟，提高系统的响应速度。
应用场景：
STP6NK90Z广泛应用于高压电源管理装置、开关电源（SMPS）、电机驱动器及多种高功率转换设备。例如，在太阳能逆变器中，该MOSFET能够有效地进行高电压下的开关控制，确保系统的高效能与稳定性。在电动汽车和混合动力汽车中，该MOSFET可以用于动力转换和电池管理系统，支持高压电流通道的切换，提高功率效率。
总结：
STP6NK90Z是一款性能卓越的高压N通道MOSFET，适用于多种高功率应用。其在高电压、高温环境下的可靠性以及低导通电阻的特性使其成为现代电子设备中不可或缺的关键元器件。无论是在电源转换、开关控制还是电机驱动方面，STP6NK90Z都能提供优异的性能支持，是工程师在设计功率控制电路时值得信赖的选择。