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DMN61D8L-7
品牌 :
DIODES(美台)
封装 :
SOT23
包装 :
编带
重量 :
0.028g
描述 :
场效应管(MOSFET) 390mW 60V 470mA 1个N沟道 SOT-23
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
0.991按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥0.991
--
200+
￥0.762
--
1500+
￥0.663
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述
DMN61D8L-7参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 470mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 3V，5V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.8 欧姆 @ 150mA，5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 1mA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | .74nC @ 5V |
| Vgs（最大值） | ±12V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 12.9pF @ 12V |
| 功率耗散（最大值） | 390mW（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SOT-23 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
DMN61D8L-7手册
无数据
DMN61D8L-7概述
产品概述：DMN61D8L-7 MOSFET
基本信息
DMN61D8L-7是一款高效的N沟道场效应管（MOSFET），由DIODES（美台）公司生产，采用SOT-23封装。该MOSFET设计用于满足25°C时连续漏极电流可达470mA，漏源电压（Vds）最高可达60V的要求，适用于多个电子电路和系统中，包括开关电源、低功耗应用和电机驱动等。
技术参数
- FET类型: N通道
- 技术: MOSFET（金属氧化物半导体场效应管）
- 最大漏源电压 (Vds): 60V
- 25°C下的最大漏极电流 (Id): 470mA
- 驱动电压: 3V - 5V
- 最大导通电阻 (Rds On): 1.8Ω（@ 150mA，5V）
- 门极阈值电压 (Vgs(th)): 最大2V（@ 1mA）
- 栅极电荷 (Qg): 最大0.74nC（@ 5V）
- 最大栅源电压 (Vgs): ±12V
- 输入电容 (Ciss): 最大12.9pF（@ 12V）
- 功率耗散: 最大390mW
- 工作温度范围: -55°C至150°C
- 安装类型: 表面贴装型（SMD）
- 封装外壳: SOT-23（TO-236-3，SC-59，SOT-23-3）
应用领域
DMN61D8L-7因其出色的电气特性和高工作温度范围，广泛应用于以下领域：
- 电源管理: 在开关电源设计中作为高效开关元件。
- 电机控制: 适用于直流电机、步进电机等驱动电路。
- 消费电子: 在智能手机、笔记本电脑及其他便携设备中的电源调节和开关电路。
- 汽车电子: 由于其高工作温度和耐用性，适用于车辆电子控制单元。
- 工业应用: 在自动化和控制系统中的接口电路。
性能优势
DMN61D8L-7MOSFET具有高效性能和稳定工作参数，能够有效减少功耗和提升线性工作特性。其低导通电阻确保在高电流应用中能够降低传导损耗，而较低的输入电容使其在高速开关应用中表现出色。由于其宽广的工作温度范围，该器件能够在极端环境下保持稳定的性能，保证电子设备的可靠性和寿命。
结论
总的来看，DMN61D8L-7 N沟道MOSFET是一款兼具高效能、低功耗以及广泛应用范围的电子元件。其卓越的电气性能使其成为众多电子设计工程师的理想选择，特别是在电源管理和电机控制的场合。随着技术的不断进步，DMN61D8L-7将为各种现代电子设备提供强大支持，在提升整体效率、降低成本和提高设备性能方面发挥重要作用。无论是在消费类、工业还是汽车电子市场，该MOSFET都将不断展现出其独特价值。