晶体管类型 | NPN - 预偏压 | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 500mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V | 电阻器 - 基极 (R1) | 2.2 kOhms |
电阻器 - 发射极 (R2) | 10 kOhms | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 56 @ 50mA,5V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 300mV @ 2.5mA,50mA | 电流 - 集电极截止(最大值) | 500nA |
频率 - 跃迁 | 200MHz | 功率 - 最大值 | 200mW |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
供应商器件封装 | SOT-23-3 |
DTD123YC-7-F 是由美台(DIODES)公司生产的一款高性能数字晶体管。作为一款NPN预偏置晶体管,DTD123YC-7-F 采用SOT-23封装,是一种非常适合在高频及高效能电路中使用的元器件。该晶体管典型的应用场景包括开关电源、电机驱动、信号放大以及各种数字电路中,因其较高的频率特性和优良的电流增益性能,能够有效满足现代电子设备对小体积和高效率的需求。
DTD123YC-7-F 的关键参数包括:
这些参数在特定电路环境中提供可靠的性能,确保电路运行稳定。
DTD123YC-7-F 的设计充分考虑了现代电子设备的要求,其高频响应特性(fT高达200MHz)使得该元件特别适合用于高频开关应用。同时,其出色的电流增益和低饱和压降确保设备在较低的能耗情况下实现更高的输出电流,这 高效利用电源,延长电池寿命。
NPN类型的设计使得它在信号放大和开关应用中表现出色。通过合理选用基极电流(Ib),用户能够灵活调整集电极电流(Ic),这对于数字电路设计尤为重要。此外,其极小的集电极截止电流(最大500nA)也为低功耗应用提供了便利。
DTD123YC-7-F广泛应用于各种电子设备,包括但不限于:
此外,其SOT-23封装确保其小型化程度,使得在PCB设计中有更加灵活的布线和布局空间,更适合现代设备对空间的苛刻要求。
总的来说,DTD123YC-7-F是一款性能优越的数字晶体管,凭借其优秀的电流增益、高频特性及低功耗表现,能在多种应用中发挥重要作用。无论是在新产品开发还是在现有产品的改进中,它都能提供显著提升,为电子设计师和工程师提供了极大的便利,助力于高性能电子设备的实现。同时,来自DIODES的质量保证和技术支持,为用户在设计和生产中提供了更大的信心。选择DTD123YC-7-F,便是选择了一种高效率、高可靠性的解决方案。