IKW75N60T 产品实物图片
IKW75N60T 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

IKW75N60T

商品编码: BM69413998
品牌 : 
Infineon(英飞凌)
封装 : 
PG-TO247-3
包装 : 
管装
重量 : 
7.16g
描述 : 
IGBT管/模块 IKW75N60T TO-247AC-3
库存 :
10(起订量1,增量1)
批次 :
23+
数量 :
X
17.05
按整 :
管(1管有240个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥17.05
--
10+
¥16.12
--
240+
¥15.97
--
2400+
产品参数
产品手册
产品概述

IKW75N60T参数

集电极电流(Ic)(最大值)80A集射极击穿电压(最大值)600V
不同 Vge,Ic 时的 Vce(on)2V @ 15V,75A栅极阈值电压-VGE(th)5.7V @ 1.2mA

IKW75N60T手册

empty-page
无数据

IKW75N60T概述

产品概述:IKW75N60T IGBT管/模块

一、基本介绍

IKW75N60T 是英飞凌(Infineon)推出的一款高性能绝缘栅双极晶体管(IGBT),采用 PG-TO247-3 封装,其主要特点包括优异的集电极电流(Ic)承载能力和高集射极击穿电压(Vce)。在现代电力电子应用中,IGBT 被广泛用于高功率控制和转换领域,尤其是在逆变器、电动汽车、电源供给、轨道交通及大型电机驱动等方面。

二、主要参数

  • 集电极电流(Ic): 最大值为 80A,此参数反映了该元器件在实际工作中所能承载的电流,这使得 IKW75N60T 能够支持高功率应用,提供稳定的性能。

  • 集射极击穿电压(Vce(max)): 最大值为 600V,这表明该 IGBT 能够在相对高电压环境下正常工作,适合用于高压应用场景。

  • Vce(on): 在不同的栅极电压(Vge)和集电极电流(Ic)条件下,IKW75N60T 在 15V 条件下以 75A 流过时,Vce(on)为 2V。该低导通电压意味着在开启状态时功耗较小,有助于提高整体能效。

  • 栅极阈值电压(VGE(th)): 该参数为 5.7V @ 1.2mA,表明在 5.7V 时 IGBT 开始导通,为在实际电路设计中应用时提供了重要依据。

三、封装与散热

IKW75N60T 采用 PG-TO247-3 封装,其结构设计考虑到有效的散热性能,以提高器件的可靠性和耐用性。TO-247 封装的尺寸较大,有助于散热器的直接安装,使得该 IGBT 在高功率应用中能够保持较低的温度,避免器件因过热而导致的性能下降。

四、应用场景

IKW75N60T 的高性能特性,使其在多种电力电子应用中表现出色,主要包括:

  1. 逆变器: 在可再生能源系统(如太阳能和风能逆变器)中,IKW75N60T 能够高效控制电力的逆变过程,将直流电转换为交流电,并确保较高的转换效率。

  2. 电动汽车: 在电动汽车动力系统中,IGBT 是关键的控制器件,用于电机驱动和能量回收系统。IKW75N60T 的高集电极电流能力和优越的电压耐性使其成为理想选择。

  3. 工业自动化: 该元件在电机控制器、调速驱动器和各种自动化设备中得到普遍应用,在这些场合高效率和高可靠性是至关重要的。

  4. 电源供给: 高功率电源系统也常用 IKW75N60T,能够应对高转换负载的需求,同时保持良好的导通特性和热管理性能。

五、总结

总体来看,IKW75N60T IGBT管/模块结合了高电流承载能力、高电压耐受能力及低导通电压特性,使其成为各种高功率电源和电动机驱动应用的理想选择。由于英飞凌品牌的强大背景和成熟技术,加之该元器件在高性能领域的突出表现,IKW75N60T 能够助力于客户在更高效、更环保的电力电子系统开发上取得成功。