IS42S16160G-7BLI 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

IS42S16160G-7BLI

商品编码: BM69413979
品牌 : 
ISSI(美国芯成)
封装 : 
BGA-54
包装 : 
托盘
重量 : 
-
描述 : 
SDRAM-存储器-IC-256Mb-(16M-x-16)-并联-143MHz-5.4ns-54-TFBGA(8x8)
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
23.23
按整 :
托盘(1托盘有348个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥23.23
--
10+
¥21.12
--
174+
¥20.11
--
2088+
产品参数
产品手册
产品概述

IS42S16160G-7BLI参数

存储器格式DRAM工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
时钟频率143MHz电压 - 供电3V ~ 3.6V
技术SDRAM存储器接口并联
存储器类型易失安装类型表面贴装型
访问时间5.4ns存储容量256Mb (16M x 16)

IS42S16160G-7BLI手册

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IS42S16160G-7BLI概述

IS42S16160G-7BLI 产品概述

产品简介

IS42S16160G-7BLI 是一款高性能的动态随机存取存储器(DRAM),由美国芯成(ISSI)生产。作为一种同步动态随机存取存储器(SDRAM),该产品提供高达256Mb的存储容量,采用并联接口形式,旨在满足现代电子设备对高速度和低功耗的要求。其工作电压范围是3V至3.6V,适合于多个电源环境。

技术规格

  1. 存储器格式: IS42S16160G-7BLI 采用 DRAM 格式,适合用于临时存储数据的应用。

  2. 工作温度: 该器件的工作温度范围在-40°C到85°C,确保在严苛环境下稳定运行,非常适合汽车、工业自动化及消费电子等需要在极端条件下工作的设备。

  3. 时钟频率: 该产品的时钟频率为143MHz,支持高数据传输速率,满足高速处理需求。

  4. 电源要求: IS42S16160G-7BLI 的供电电压在3V到3.6V之间,兼容主流的电源管理方案,便于集成。

  5. 访问时间: 具有5.4ns的访问时间,使得数据读取和写入操作快速且高效,大大提升系统的响应速度。

  6. 存储容量: 256Mb的存储容量(16M x 16),使得该芯片能够存储大量的数据,适用于memory-intensive的应用。

  7. 封装形式: IS42S16160G-7BLI使用BGA-54(8x8mm的54引脚球栅阵列封装),该表面贴装封装设计可以有效节省PCB空间,提高组装效率。

应用领域

IS42S16160G-7BLI适用于多种应用场景:

  • 消费电子: 例如智能手机、平板电脑和个人电脑等设备中,SDRAM可用于缓存和临时数据存储,提升用户体验。

  • 汽车电子: 该器件的宽工作温度范围使其非常适合于汽车电子系统,如信息娱乐系统、导航设备及高级驾驶辅助系统(ADAS)。

  • 工业控制: 在工业自动化和控制系统中,IS42S16160G-7BLI可以作为数据采集和暂存模块,支持实时监测与控制。

  • 通信设备: 在网络交换机、路由器和基站等设备中,存储器的快速读写能力对于数据包处理至关重要。

总结

IS42S16160G-7BLI是一款高性能、低功耗的DRAM存储器,凭借其优越的技术规格和广泛的应用潜力,该产品被广泛应用于各个领域,尤其是在需要快速数据存取和良好环境耐受性的场合。其高达256Mb的存储容量和143MHz的工作频率不仅满足了现代电子设备对性能的要求,同时在多种工业和消费环境下都表现出了可靠性与稳定性。选择IS42S16160G-7BLI,无疑是寻求高效能DRAM解决方案的理想选择。