IRF9640SPBF
IRF9640SPBF参数
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 200V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 11A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 500 毫欧 @ 6.6A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 44nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1200pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 3W（Ta），125W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | D2PAK |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
IRF9640SPBF手册
IRF9640SPBF概述
产品概述：IRF9640SPBF
一、简介
IRF9640SPBF 是由威世 (VISHAY) 提供的一款高性能 P 通道金属氧化物半导体场效应管 (MOSFET)，该器件专为高压应用设计，具有优秀的电气性能和可靠性，广泛应用于开关电源、电机驱动、电源管理及高效能的负载开关等场合。
二、基础参数
- FET 类型：P 通道
- 技术：MOSFET
- 漏源电压（Vdss）：200V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：11A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
- 导通电阻（最大值）：500 毫欧 @ 6.6A，10V
- 栅极阈值电压（Vgs(th) - 最大值）：4V @ 250µA
- 栅极电荷（Qg - 最大值）：44nC @ 10V
- 最大栅源电压（Vgs）：±20V
- 输入电容（Ciss - 最大值）：1200pF @ 25V
- 功率耗散：
- 最大功率（Ta）：3W
- 最大功率（Tc）：125W
- 工作温度范围：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装类型：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
三、主要特性
高电压和电流处理能力：IRF9640SPBF 具有200V的漏源电压能力和11A的连续漏极电流能力，使其能够应对多种苛刻的高压和高电流应用场景。
低导通电阻：其最大导通电阻为500毫欧，尤其适合开关应用，因为这能有效降低开关损耗，提升整体效率。
宽工作温度范围：工作温度范围从-55°C到150°C，确保在极端环境下的稳定性和可靠性，适合汽车、工业等领域的应用。
高栅极电荷：具有44nC的栅极电荷，适合快速开关，即使在较高频率的操作下也能保持稳定的性能。
表面贴装封装：采用TO-263-3、D²Pak等封装形式便于自动贴装，减小了PCB占用面积，提高了器件的集成度和装配效率。
四、应用领域
IRF9640SPBF 适用于多种电子应用，包括但不限于：
开关电源：由于其高电压和高电流的处理能力，适合用于开关电源中的低侧和高侧开关。
电机驱动：可被用于直流电机和步进电机的驱动电路，确保良好的电流控制和高效能运作。
电源管理：作为电源管理电路中的负载开关，为系统提供精确的电源分配。
功率放大器：在高功率放大应用中，可以有效地控制功率流向，增加整体的效率与响应速度。
五、结论
总体而言，IRF9640SPBF 是一款极具优势的 P 通道 MOSFET，凭借其优异的电气性能、耐高温和高工作电流能力，广泛应用于各类高频开关电源、电机控制以及功率管理系统中。其优良的导通特性和稳定的工作表现，使其成为工程师在设计中值得信赖的选择。威世作为其生产厂家，凭借其卓越的半导体技术，确保了产品的高质量与高可靠性，适合要求苛刻的现代电子应用。