晶体管类型 | NPN - 预偏压 | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V | 电阻器 - 基极 (R1) | 2.2 kOhms |
电阻器 - 发射极 (R2) | 10 kOhms | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 33 @ 10mA,5V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 300mV @ 500µA,10mA | 电流 - 集电极截止(最大值) | 500nA |
频率 - 跃迁 | 250MHz | 功率 - 最大值 | 150mW |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | SC-75,SOT-416 |
供应商器件封装 | EMT3 |
DTC123YETL是一款来自日本知名电子元器件制造商ROHM(罗姆)的高性能数字晶体管。这款晶体管极具代表性,特别适用于各种低功耗及高频应用场景。其NPN-预偏压的设计使得DTC123YETL在电子电路中表现出优良的工作特性和可靠的性能,适合于现代电子产品的需求。
DTC123YETL的基础参数配置来看,其集电极电流(Ic)最大值为100mA,能够满足大多数消费类电子产品对电流的要求。同时,其集射极击穿电压(Vce)最大值为50V,保证了其在5V以下电压环境中的安全工作。集电极的截止电流最大值仅为500nA,突显了其在待机状态下的低功耗特性,适合于长时间运行的应用。
DTC123YETL在不同的Ic和Vce条件下表现出优良的直流电流增益(hFE)。在10mA集电极电流和5V的工作电压下,其最小hFE值为33,体现了该器件在信号放大中的能力。这一增益特性使得它在各种信号处理中均能发挥稳定的放大效果。
在处理信号时,DTC123YETL展现出优越的饱和压降特性,其最大Vce饱和压降为300mV于500µA和10mA下。较低的饱和压降意味着在开关状态下能有效降低功耗,从而提升整体电路效率。此外,该晶体管的频率跃迁能力达到250MHz,足以支持高频率信号处理,适用于数字电路和高频通信设备。
对于NPN晶体管而言,DTC123YETL在基极及发射极搭配方面的电阻值也值得关注。其基极电阻(R1)为2.2 kOhms,而发射极电阻(R2)为10 kOhms。这一配置不仅保证了适当的预偏压,还实现了良好的温度稳定性和工作线性,有助于降低信号失真,表现出更加优异的工作稳定性。
DTC123YETL采用小型表面贴装型封装SC-75(SOT-416),其紧凑设计便于在空间受限的PCB设计中使用。这一封装形式提高了元件的集成度,对于现代电子设备的小型化需求提供了良好的解决方案。EMT3的封装设计也符合行业标准,确保了良好的焊接性和可靠连接。
凭借这些卓越的参数,DTC123YETL被广泛应用于各类数字电路、信号放大、开关电源以及低功耗设备等领域。它非常适合于电视机、音频设备、通信设备及其它消费电子产品中,能够在不同的工作环境中提供稳定可靠的性能。
总的来说,DTC123YETL是一款高性价比的NPN数字晶体管,具备诸如高频率响应、低饱和压降及优秀增益等诸多特性,适合现代电子设备的多样化需求。它的小型化封装与优良的电气特性相结合,成为设计工程师在电路设计时的理想选择,助力满足不断发展的电子市场需求。