FET 类型 | 2 个 P 沟道(双) | FET 功能 | 标准 |
漏源电压(Vdss) | 12V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3.9A |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 59 毫欧 @ 3.6A,4.5V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 20.8nC @ 8V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 1028pF @ 6V |
功率 - 最大值 | 1.36W | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 6-UDFN 裸露焊盘 |
供应商器件封装 | U-DFN2020-6(B 类) |
DMP1055UFDB-7 是由知名电子元器件制造商 DIODES(美台)推出的一款二阶段 P 沟道场效应管(MOSFET)。该元器件采用 U-DFN2020-6 封装,专为表面贴装设计。其双 P 沟道结构使其在多种应用场景中表现出色,尤其是在需要控制电流及提供高效开关性能的场合。
电气特性:
开关特性:
电容特性:
功率与功耗:
工作环境:
DMP1055UFDB-7 被设计用于广泛的应用场合,包括但不限于:
DMP1055UFDB-7 的设计使其在诸多领域具备显著优势:
综上所述,DMP1055UFDB-7 是一款高效能、低功耗的小型 P 沟道 MOSFET,完美适合各类电源管理和开关应用。其独特的电气特性、出色的散热能力和广泛的工作温度范围,使其在现代电子设计中成为不可或缺的元件之一。无论是在消费电子,汽车电子还是工业自动化领域,DMP1055UFDB-7 都能够提供令人满意的性能表现,助力设计 engineers 实现高效、可靠的电子产品。