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DMN4800LSS-13
品牌 :
DIODES(美台)
封装 :
SO-8
包装 :
编带
重量 :
0.114g
描述 :
场效应管(MOSFET) 1.46W 30V 9A 1个N沟道 SO-8
库存 :
230(起订量1,增量1)
批次 :
23+数量 :
X
0.945按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥0.945
--
100+
￥0.629
--
1250+
￥0.573
--
2500+
￥0.53
--
25000+
产品参数
产品手册
产品概述
DMN4800LSS-13参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 9A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 16 毫欧 @ 9A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.6V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 9.47nC @ 5V |
| Vgs（最大值） | ±25V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 798pF @ 10V |
| 功率耗散（最大值） | 1.46W（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | 8-SOP |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
DMN4800LSS-13手册
无数据
DMN4800LSS-13概述
DMN4800LSS-13 产品概述
产品简介
DMN4800LSS-13 是一款高效的 N 通道增强型 MOSFET，由 DIODES（美台）公司生产，适合在多种电子应用中使用。该器件主要用于开关电源、负载驱动、直流电机控制和其他需要高效率和快速开关的电路中，其出色的电流承载能力和低导通电阻使其成为现代电子设计中的理想选择。
基本参数
- FET 类型：N 通道增强型MOSFET
- 封装类型：8-SOIC（SO-8），尺寸为 0.154"（3.90mm 宽）
- 漏源电压（Vdss）：30V，能够应对较高的电压应用场合
- 连续漏极电流（Id）：可承载高达 9A 的电流，适用于较高功率的场合
- 最大功率耗散（Pd）：1.46W，确保其在电流通过时不会因过热而失效
导通特性
- 导通电阻：在 10V 的栅极驱动电压下，@ 9A 的条件下，最大导通电阻为 16 毫欧，这一特性使得该器件在导通状态下的功率损耗非常小，为提高电路效率创造了条件。
- 驱动电压：通过对栅极的控制电压（Vgs）进行优化，该器件在 4.5V 至 10V 的范围内均表现良好，能够适应不同的应用需求。
开关特性
- 栅极阈值电压（Vgs(th)）：在 250µA 的测试条件下，Vgs(th) 的最大值为 1.6V，意味着在此电压下 MOSFET 开始导通，为设计者提供了灵活的操作空间。
- 栅极电荷（Qg）：在 5V 的栅极驱动下，栅极电荷最大为 9.47nC，代表该器件在快速开关操作时所需的驱动能量相对较小，有助于减少控制电路的能耗。
其他电气特性
- 输入电容（Ciss）：在 10V 条件下，最大输入电容为 798pF，这使得在高频操作过程中，器件能够更快速地响应。
- 最大 Vgs：±25V 的输入范围为设计者提供了更大的灵活性，能够适应各种不同的电源条件。
工作环境
DMN4800LSS-13 的工作温度范围为 -55°C 到 150°C，意味着即使在极端环境条件下也能保持稳定的性能。广泛的工作温度范围使其适合用于航空航天、汽车及工业设备等对温度要求严格的应用环境。
适用场合
- 开关电源：因其低导通电阻和高效能，适合用于 DC-DC 转换器和电源管理电路中。
- 电机驱动：可广泛应用于直流电机驱动中，以实现高效、可控的动力输出。
- 负载开关：在需要控制较大电流负载的地方，能有效实现开关控制。
结论
综合以上特点，DMN4800LSS-13 是一款极具竞争力的 N 通道 MOSFET，具有优良的电气特性和耐用性，适用于各种高效能的电子设计，帮助工程师和设计师实现更高效、更可靠的电子解决方案。通过合理的电路设计与该器件的结合，能够为客户提供极佳的性能表现与稳定性，是现代电子应用中不可多得的选择。