DMN32D2LDF-7 产品实物图片
DMN32D2LDF-7 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

DMN32D2LDF-7

商品编码: BM69413830
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT353
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 280mW 30V 400mA 2个N沟道 SOT-353
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
22+
数量 :
X
0.581
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.581
--
200+
¥0.374
--
1500+
¥0.325
--
3000+
¥0.288
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述

DMN32D2LDF-7参数

安装类型表面贴装型不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)1.2 欧姆 @ 100mA,4V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)400mAFET 类型2 N 沟道(双)共源
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)39pF @ 3V工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
漏源电压(Vdss)30VFET 功能逻辑电平门
功率 - 最大值280mW不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)1.2V @ 250µA

DMN32D2LDF-7手册

DMN32D2LDF-7概述

DMN32D2LDF-7 产品概述

一、产品简介

DMN32D2LDF-7是一款高性能的N沟道双MOSFET,采用SOT-353封装,广泛应用于各种电子电路中,尤其是在需要高效开关的低功率应用场合。其最大漏极电流可达400mA,漏源电压达到30V,适用于逻辑电平驱动的各种开关应用。

二、基本参数

  1. 安装类型: 表面贴装型(SMD),适合自动化贴片(SMT)生产线,提高了生产效率和可靠性。
  2. 导通电阻: 在不同的漏极电流(Id)和栅极源极电压(Vgs)下,DMN32D2LDF-7具有最大导通电阻为1.2Ω(@100mA,4V),这使得其在低功耗应用中表现出色,降低了能量损耗,同时提高了热管理能力。
  3. 漏极电流: 该产品可持续工作在400mA的漏极电流下,满足大多数中小功率应用的需求。
  4. 输入电容(Ciss): 在不同的漏源电压下,其最大输入电容(Ciss)为39pF(@3V),这使得其切换速度更快,降低了开关损耗,提高了整体效率。
  5. 工作温度范围: 该器件具有宽广的工作温度范围,从-55°C到150°C,适用于各种恶劣环境下的应用。
  6. 功率额定值: 最大功率为280mW,允许在适当的条件下注入较高的功率而不引起器件损坏。

三、功能与特性

DMN32D2LDF-7是一款逻辑电平的MOSFET,能够直接与低电平数字电路接口(如3.3V或5V微控制器)配合使用,适合用于各种逻辑控制开关、功率管理和信号放大等电路中。其低栅极驱动电压以及较低的导通电阻,使其特别适合用于以下应用:

  • 电源管理: 用于DC-DC转换器、负载开关等场合。
  • 信号开关: 在音频、视频信号传输中应用,确保信号完整性。
  • 电机驱动: 在小型电机和步进电机控制中作为开关元件,控制电机的启停。

四、应用领域

DMN32D2LDF-7在消费电子、汽车电子、电机控制、工业自动化等多个领域都有广泛应用。在具体应用中,可以在以下方面发挥作用:

  • LED驱动: 在LED照明设备中,通过PWM控制实现调光功能。
  • 开关电源: 在开关电源模块中,作为开关元件,提高能效。
  • 通信设备: 在各种通信线路和模块中作为开关,以保护电路和提高信号传输效率。

五、总结

总之,DMN32D2LDF-7是一款高效、可靠的双N沟道MOSFET器件,其在多种环境下的优良性能使其成为设计师在产品开发时的重要选择。凭借其低导通电阻、宽工作温度范围以及高工作电流能力,DMN32D2LDF-7为电子设计提供了更多可能性。其广泛应用于各类低功耗和逻辑控制的开关电路,能够助力电子产品在多变市场环境中的卓越表现。选择DMN32D2LDF-7,不仅能够提高产品性能,还能提升整体设计的经济性与效率。