DMN10H700S-7

DMN10H700S-7 产品概述

产品介绍

DMN10H700S-7 是一款高性能的 N 通道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），由知名半导体厂商 DIODES（美台）生产。其具有优良的电气性能和广泛的应用范围，适合用于各种电子电路设计，特别是在需要高效能和高可靠性的领域。

主要参数

DMN10H700S-7 的主要电气参数包括：

• 漏源电压（Vdss）：100V，表明该 MOSFET 能承受的最大电压为 100 伏特，使其适用于高电压电路。
• 连续漏极电流（Id）：在 25°C 下为 700mA，适合中等功率应用。
• 栅极驱动电压：在最小 Rds(on) 下的驱动电压为 6V，最大为 10V，显示了良好的开关性能。
• 导通电阻（Rds(on)）：在 10V 驱动下，1.5A 时的最大导通电阻为 700 毫欧，这有助于降低功耗和提升效率。
• 阈值电压（Vgs(th)）：最大值为 4V（@ 250µA），确保该 MOSFET 可在较低电压下启动工作。
• 栅极电荷（Qg）：最大值为 4.6nC（@ 10V），可以减少开关损耗，提升动态响应性能。
• 输入电容（Ciss）：最大值为 235pF（@ 50V），有助于提高开关速度。
• 功率耗散：最大为 400mW，确保 MOSFET 在不超过额定功率下安全工作。
• 工作温度范围：从 -55°C 到 150°C，适应各种恶劣环境下的应用需求。

物理特性

DMN10H700S-7 采用 SOT-23 封装，表面贴装式设计使其适合于小型化电路板，同时便于自动化组装。该封装形式紧凑，满足现代电子设备对空间的严格要求。而其工作温度范围的宽广性使其可在多种环境下稳定运行，进一步增强了其应用的灵活性。

应用领域

由于其较高的电压和电流规格，DMN10H700S-7 特别适合于以下应用场合：

1. 电源管理：作为开关元件，广泛用于 DC-DC 转换器、DC 调速电机驱动、电池管理系统。
2. 信号开关：用于高频信号开关电路，符合高效信号处理的需求。
3. LED 驱动：在 LED 照明和相关应用中，起到开关和调光的作用。
4. 消费电子：在便携式设备、计算机和家用电器中，MDN10H700S-7 可用于负载控制和能效管理。

市场竞争力

DMN10H700S-7 凭借其卓越的性能参数和可靠的制造工艺，具备强大的市场竞争力。相对同类产品，其低导通电阻和较低的栅极电荷使其成为高效电源设计的理想选择。此外，合适的工作温度范围和高耐压能力，使其在各种苛刻环境中表现出色。

总结

总体而言，DMN10H700S-7 是一款性能优越、可靠性高的 N 通道 MOSFET，适合广泛的应用场合。随着电子设备日益向小型化和高效能方向发展，该产品无疑将在未来的电子市场中继续占有一席之地，帮助工程师实现更高效、更节能的产品设计。选择 DMN10H700S-7，您将获得品质与性能的完美结合。