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DMP2066LSS-13
品牌 :
DIODES(美台)
封装 :
SO-8
包装 :
编带
重量 :
0.113g
描述 :
场效应管(MOSFET) 2.5W 20V 6.5A 1个P沟道 SOP-8
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
2年内数量 :
X
1.05按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥1.05
--
100+
￥0.808
--
1250+
￥0.685
--
25000+
产品参数
产品手册
产品概述
DMP2066LSS-13参数
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 20V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 6.5A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.5V，4.5V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 40 毫欧 @ 5.8A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.2V @ 250µA | Vgs（最大值） | ±12V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 820pF @ 15V | 功率耗散（最大值） | 2.5W（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | 8-SOP | 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
DMP2066LSS-13手册
无数据
DMP2066LSS-13概述
DMP2066LSS-13是一款高性能的P沟道MOSFET，专为各种电子电路设计而开发，特别适用于需要高效电源管理和信号切换的应用。该组件由DIODES（美台）公司制造，封装类型为SO-8，这种表面贴装型设计使得DMP2066LSS-13非常适合现代紧凑型电子设备，能够有效节省电路板空间。
产品基本特性
FET类型和技术：DMP2066LSS-13为P通道MOSFET，这种类型的场效应管具备快速开关与低导通电阻的特点，非常适合于高效率的开关电源、逆变器、负载开关及其他需要控制电流流向的应用。
电气参数：
- 漏源电压（Vdss）：最大可承受20V的漏源电压，适合于中低压应用。
- 连续漏极电流（Id）：在25°C环境下，最大连续漏极电流为6.5A，允许在高负载条件下稳定运行。
- 导通电阻（Rds On）：在5.8A、4.5V Vgs条件下，最大导通电阻为40毫欧，确保低功耗和高效率的能量传递。
阈值电压与驱动要求：
- Vgs(th)（阈值电压）最大为1.2V（在250µA条件下），保证在适当的控制电压下可以迅速导通。
- Vgs（最大值）可稳定在±12V，提供了较大的控制电压范围，以适配不同的驱动电路。
输入和输出特性：
- 在15V Vds条件下，最大输入电容（Ciss）为820pF，这对于高频信号切换过程中的信号完整性至关重要。
热参数：
- 该器件的功率耗散最大为2.5W，适合在高温和高功率操作环境中，且可在-55°C至150°C的广泛工作温度范围内可靠工作。
应用场景
DMP2066LSS-13广泛应用于各类电源管理与控制电路，包括：
- 开关电源：利用其高频特性和低Rds On，可以有效提升电源转换效率。
- 负载开关电路：能够在不同的电压和负载条件下实现可靠的开关控制。
- 电机驱动器：适用于RC电机、步进电机等的驱动控制，实现精确的速度和扭矩控制。
- 逆变器与DC-DC转换器：在需要快速切换的应用中，能够保持高效的能量传递。
竞争优势
DMP2066LSS-13具有优异的电气性能以及紧凑的封装设计，相较于传统的分立半导体器件，提供了更高的集成度与更小的占板面积。同时，其高可靠性和宽工作温度范围也使其在复杂的工业环境中得以广泛应用。
总结而言，DMP2066LSS-13是一款功能强大、性能卓越的P沟道MOSFET，具备灵活的应用范围和良好的热管理能力，是现代电子产品设计中非常理想的元件选择。无论是在消费电子、工业控制还是新能源等领域，DMP2066LSS-13都展现出了极大的市场潜力和应用价值。