注：图像仅供参考，请参阅产品规格
DMN66D0LW-7
品牌 :
DIODES(美台)
封装 :
SOT323
包装 :
编带
重量 :
-
描述 :
场效应管(MOSFET) 200mW 60V 115mA 1个N沟道 SOT-323
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
1.22按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥1.22
--
200+
￥0.941
--
1500+
￥0.819
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述
DMN66D0LW-7参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 115mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 6 欧姆 @ 115mA，5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 23pF @ 25V | 功率耗散（最大值） | 200mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | SOT-323 | 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |
DMN66D0LW-7手册
无数据
DMN66D0LW-7概述
DMN66D0LW-7 产品概述
一、产品简介
DMN66D0LW-7 是一种高性能 N 通道 MOSFET（场效应管），由知名半导体品牌 DIODES（美台）制造。该器件专为在高效能和高密度应用场合下运作而设计，其具有出色的电气特性和广泛的适用性，适合用于不同的电子电路设计。
二、主要参数
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物半导体场效应管）
- 漏源电压（Vdss）：60V
- 连续漏极电流（Id）：在 25°C 时可提供 115mA（Ta）
- 驱动电压：
- 最大 Rds On，最小 Rds On：5V，10V
- 最大导通电阻（Rds(on)）：6 欧姆（@ 115mA，5V）
- 栅源阈值电压（Vgs(th)）：在 250µA 时最大值为 2V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同 Vds 时输入电容（Ciss）：23pF（@ 25V）
- 功率耗散（最大值）：200mW（Ta）
- 工作温度范围：-55°C 到 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装：SOT-323、SC-70
三、产品特点
DMN66D0LW-7 作为 N 通道 MOSFET，其具备优异的导通性能和低导通电阻，使其在功率开关和线性输出应用中表现出色。其漏源电压为60V，较高的电压容忍度使其在多种电源轨情况下稳定运作。此外，该器件的工作温度范围宽广（-55°C 到 150°C），使其适用于极端环境条件下的应用。
四、应用场景
- 电源管理：DMN66D0LW-7 可以用于各种电源管理应用，包括 DC-DC 转换器、电源开关及电源保护电路等。
- 汽车电子：其广泛的工作温度范围使其适合在汽车电子设备中使用，包括电机控制、LED 驱动和电源分配等。
- 消费电子：适用于智能手机、平板电脑及其他移动设备的电源管理。
- 工业控制：其高效率和可靠性也使得 DMN66D0LW-7 成为工业自动化与控制系统中理想的选择。
五、总结
DMN66D0LW-7 是一款性能优越的 N 通道 MOSFET，凭借其高达 200mW 的功率耗散能力、低导通电阻及宽广的工作温度范围，在多个应用场景中均有广泛的适用性。无论是在电源管理、汽车电子还是消费电子领域，该器件均展现出其良好的电气特性和高可靠性。选择 DMN66D0LW-7，将为您的电子设计提供强有力的支持。