DMP2104V-7
DMP2104V-7参数
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 20V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.1A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.8V，4.5V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 150 毫欧 @ 950mA，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA | Vgs（最大值） | ±12V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 320pF @ 16V | 功率耗散（最大值） | 850mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | SOT-563 | 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
DMP2104V-7手册
DMP2104V-7概述
DMP2104V-7 产品概述
DMP2104V-7 是一种高性能 P 通道 MOSFET（场效应晶体管），由知名半导体供应商 DIODES（美台）生产。该器件采用 SOT-563 封装，具有极小的尺寸，使其成为现代电子设备中空间有限应用场合的理想选择。无论是用于电源管理、开关电路，还是用于信号处理和高效能控制器件，DMP2104V-7 的表现均表现卓越。
主要参数
在此器件的基本参数中，源漏电压（Vdss）高达 20V，支持高达 2.1A 的连续漏极电流（Id），在环境温度（Ta）为 25°C 的条件下运行。DMP2104V-7 的插值特性使其在低电源电压下仍保持高效性能，特别适合需要低导通电阻和快速开关速度的应用场景。同时，其最大导通电阻（Rds On）在 1.8V 和 4.5V 的驱动电压下也得到优化，尤其是当 Id 为 950mA，Vgs 为 4.5V 时，最大导通电阻仅为 150 毫欧，减少了功耗并提升了整体系统效率。
驱动电压与栅极阈值电压
DMP2104V-7 的驱动电压不仅可以低至 1.8V，还能在高达 4.5V 的条件下高效工作，这使得器件能够适应各种低电压驱动应用。其初始栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为 1V（@ 250µA），表明该 MOSFET 具备卓越的开关特性，能够在较低的栅压下迅速导通和关断，适用于高频开关应用。
高频特性与功耗
在高频应用中，DMP2104V-7 具备最大输入电容（Ciss）为 320pF，并且在 16V 的环境条件下亦能保持性能稳定。此外，该器件设计了最大功率耗散值为 850mW，虽然其额定值看似不高，但在合理的散热条件下，依然可以满足多种中小功率电源管理应用的需求。
工作温度范围与可靠性
DMP2104V-7 的工作温度范围宽广，从 -55°C 到 150°C，确保在极端环境下的可靠性和稳定性。无论是严苛的工业应用还是高温电子装置，DMP2104V-7 都可以胜任。这种高可靠性的设计使其成为汽车电子、工业控制领域和消费电子产品中的可靠选择。
应用场景
DMP2104V-7 广泛适用于多种场景和系统设计中，尤其在以下几类应用中显得尤其重要：
- 电源管理：可用于 DC-DC 转换器和电池管理系统，极低的导通电阻能够提高电源转换效率。
- 开关电源：其开关特性与小体积设计使其适合高频开关电源应用。
- 负载开关：可以用于驱动负载开关，以减少静态功耗。
- 汽车电子：高温工作范围及稳定性使其能够在汽车电子应用中展现出色的耐久性。
结论
总体而言，DMP2104V-7 是一种性能出色的 P 通道 MOSFET，适合各种高效能和空间受限的电子设备。先进的工艺使其能够在广泛的工作条件下保持优异的性能，DIODES 品牌的优良质量保障也为产品增添了诸多信誉。对于设计工程师来说，选择 DMP2104V-7 将是提升产品性能与可靠性的明智之选。无论在工业设备、汽车系统还是消费电子领域，DMP2104V-7 都能提供值得信赖的解决方案。