注：图像仅供参考，请参阅产品规格
DMN62D1SFB-7B
品牌 :
DIODES(美台)
封装 :
X1-DFN1006-3
包装 :
编带
重量 :
-
描述 :
场效应管(MOSFET) 470mW 60V 410mA 1个N沟道 X1-DFN1006-3
库存 :
4100(起订量1,增量1)
批次 :
22+数量 :
X
0.367按整 :
圆盘(1圆盘有10000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥0.367
--
500+
￥0.245
--
5000+
￥0.212
--
10000+
￥0.19
--
100000+
产品参数
产品手册
产品概述
DMN62D1SFB-7B参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 410mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.4 欧姆 @ 40mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.3V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 2.8nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 80pF @ 40V |
| 功率耗散（最大值） | 470mW（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | 3-X1DFN1006 |
| 封装/外壳 | 3-UFDFN |
DMN62D1SFB-7B手册
无数据
DMN62D1SFB-7B概述
产品概述：DMN62D1SFB-7B
概览
DMN62D1SFB-7B 是一款高性能的N通道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由著名供应商DIODES（美台）制造。该器件具有出色的电气特性，适用于各种现代电子设备，特别是在低电压和中功率应用方面，有助于实现高效的功率管理和开关操作。
主要特点
漏源电压（Vdss）: DMN62D1SFB-7B具有高达60V的漏源电压能力，这使得它适合在高电压环境中高效工作。
连续漏极电流（Id）: 在25°C下，器件能够支持高达410mA的持续漏极电流，这一特性使其在各种负载条件下表现出色，尤其适合用于需要较大电流驱动的应用。
导通电阻（Rds On）: 在10V的驱动电压下，DMN62D1SFB-7B的最大导通电阻为1.4欧姆（@40mA），有效降低了功率损耗和热量生成，从而提高了整体系统的效率。
门极阈值电压（Vgs(th)）: 在250µA电流下，最大门极阈值电压为2.3V，支持低电压操作，这对于某些应用场景尤为重要。
栅极电荷（Qg）: 在10V条件下，器件的最大栅极电荷为2.8nC，这意味着其开关速度快，适合高频应用。
适用范围
DMN62D1SFB-7B的广泛应用领域包括：
- 功率管理: 该器件可以用于DC-DC转换器、线性稳压器等电源管理电路，为系统提供稳定的电压和电流输出。
- 电机驱动: 在直流电机和步进电机驱动电路中，MOSFET的高电流处理能力和快速开关特性使其成为理想选择。
- 开关电源: 由于其高效的特性，该MOSFET能够在开关电源设计中替代传统的晶体管，从而提高电源的整体性能和可靠性。
- LED驱动: 在LED驱动电路中，DMN62D1SFB-7B可以作为开关元件高效控制LED的亮度和开关状态。
物理特征
- 工作温度: DMN62D1SFB-7B的工作温度范围为-55°C至150°C，适合各种严苛工作环境。
- 功率耗散能力: 该器件的最大功率耗散为470mW（@Ta），保证在高负载情况下的可靠性。
- 封装和安装类型: DMN62D1SFB-7B采用表面贴装的3-X1DFN1006封装，适合高密度电路板设计，便于自动化生产。
总结
DMN62D1SFB-7B是一款高效、耐用的N通道MOSFET，凭借其杰出的电气特性和广泛的应用范围，在现代电子设计中扮演着重要的角色。该器件不仅提高了电路性能，还能在小体积的同时保证良好的散热管理，适合各类电子产品的应用需求。通过选用DMN62D1SFB-7B，设计工程师能够为他们的产品提供更高效、更可靠的解决方案，使其在市场中具有更强的竞争力。