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ZXM62P02E6TA
品牌 :
DIODES(美台)
封装 :
SOT26
包装 :
编带
重量 :
-
描述 :
场效应管(MOSFET) 1.1W 20V 2.3A 1个P沟道 SOT-23-6
库存 :
1487(起订量1,增量1)
批次 :
23+数量 :
X
2.64按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥2.64
--
100+
￥2.12
--
750+
￥1.89
--
1500+
￥1.79
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30000+
产品参数
产品手册
产品概述
ZXM62P02E6TA参数
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 20V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.3A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.7V，4.5V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 200 毫欧 @ 1.6A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 700mV @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 5.8nC @ 4.5V |
| Vgs（最大值） | ±12V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 320pF @ 15V |
| 功率耗散（最大值） | 1.1W（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SOT-23-6 |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 |
ZXM62P02E6TA手册
无数据
ZXM62P02E6TA概述
ZXM62P02E6TA 产品概述
一、简介
ZXM62P02E6TA 是一款高性能的 P 通道 MOSFET，专为需要高效率和高度可靠性的电子应用设计。作为一款 SOT-23-6 封装的场效应管，它能够在高达 20V 的漏源电压下工作，并承受连续 2.3A 的漏极电流。这款 MOSFET 在广泛的工作温度范围内表现出色，适合许多电子电路设计的要求。
二、技术参数
- FET 类型: P 通道
- 技术: MOSFET（金属氧化物场效应晶体管）
- 漏源电压 (Vdss): 20V：适合于低压电源管理及开关应用。
- 最大连续漏极电流 (Id): 2.3A @ 25°C：适合需要高电流负载的电路。
- 驱动电压:
- 最大 Rds On: 2.7V
- 最小 Rds On: 4.5V
- 导通电阻 (Rds(on)):
- 最大值：200 毫欧 @ 1.6A，4.5V：低导通电阻确保高效率运作，降低功率损失。
- 阈值电压 (Vgs(th)):
- 最大值：700mV @ 250µA：确保快速和稳定的开关响应。
- 栅极电荷 (Qg):
- 最大值：5.8nC @ 4.5V：适合快速开关应用，降低驱动电路的功耗。
- 栅源电压 (Vgs):
- 最大值：±12V：支持更广泛的驱动电压范围，增强灵活性。
- 输入电容 (Ciss):
- 最大值：320pF @ 15V：良好的输入特性，有助于提升开关速度。
- 功率耗散: 最大值 1.1W @ Ta：确保在高负载条件下保持温度稳定。
- 工作温度范围:
- -55°C ~ 150°C（TJ）：适合高温和低温环境的应用。
- 封装类型: SOT-23-6：采用表面贴装型设计，便于自动化焊接，节省空间。
三、应用场景
ZXM62P02E6TA MOSFET 的设计使其适用于多种应用场景，包括但不限于：
- 电源管理系统：用于开关调节和负载开关，以实现高转化效率。
- 电池驱动设备：在电池供电系统中控制电流流向，优化能量使用。
- 消费电子：如智能手机、平板电脑等，能够提升电源效率并减小散热。
- 汽车电子：特别是在高温或恶劣环境下，能够保持良好性能。
- 工业控制系统：在各种自动化设备中进行开关控制，以确保操作的可靠性。
四、产品优势
ZXM62P02E6TA MOSFET 的优越之处在于其低导通电阻和高效的开关特性，使得该器件在降低功耗、减小散热等方面表现突出。此外，广泛的工作温度范围和高电流能力使得其在复杂环境中依然保持出色的性能，满足各类应用的需求。
五、总结
整体而言，ZXM62P02E6TA 是一款理想的 P 通道 MOSFET，结合了低导通电阻、较高的电流承载能力和良好的热管理特性，适合多种高效能、高可靠性的电子应用。作为 DIODES (美台) 提供的优质产品，ZXM62P02E6TA 既满足现代电子设计的严格要求，也为设计工程师提供了更多的灵活性与选择。无论在消费电子、汽车电子还是工业控制领域，该 MOSFET 都能成为高效电源管理解决方案的关键组成部分。