STP14NM50N
STP14NM50N参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 500V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 12A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 320 毫欧 @ 6A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 100µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 27nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±25V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 816pF @ 50V |
| 功率耗散（最大值） | 90W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-220 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
STP14NM50N手册
STP14NM50N概述
STP14NM50N MOSFET 产品概述
STP14NM50N是一款高性能的N沟道MOSFET（场效应晶体管），这款器件采用了先进的金属氧化物半导体技术，专为高电压及高电流应用设计。它的主要优势在于能够在宽范围内提供优良的性能，适合用于各种功率电子应用，如开关电源、马达驱动、电源管理和高频开关电路等。
主要规格
漏源电压（Vdss）: STP14NM50N可承受高达500V的漏源电压，适合在高电压环境下工作。这使得它能够在大多数工业和消费电子设备中使用，特别是在电源转换和电机控制应用。
连续漏极电流（Id）: 在25°C的环境温度下，该器件能够提供12A的连续漏极电流，这一特点使它适用于需要较大电流传输的电路设计。
导通电阻（Rds(on)）: 在10V的栅源驱动电压下，STP14NM50N的最大导通电阻为320毫欧（@ 6A），合理的Rds(on)值有助于减少功率损耗，提高系统的效率。
阈值电压（Vgs(th)）: 该产品的Vgs(th)在±25V的栅源驱动电压下，最大值为4V（@ 100µA），这意味着在较低的栅电压下，MOSFET能够迅速导通，降低开关损耗。
栅极电荷（Qg）: STP14NM50N的栅极电荷为27nC，这一参数表明在开关过程中所需的驱动功率相对较低，有助于提高整体电路的响应速度。
输入电容（Ciss）: 在50V的漏源电压下，输入电容的最大值为816pF，通过适当控制输入电容值，可以优化开关损耗及增益特性。
功率耗散（Pd）: STP14NM50N的最大功率耗散为90W（@ Tc），能够承受较大的功率负载，适合于高功率应用的需求。
工作温度范围: 器件具备极广的工作温度范围，能够在-55°C至150°C的环境中可靠工作，适合恶劣环境下的应用。
封装类型: STP14NM50N采用TO-220-3封装，适合于需要较高散热能力的设计，同时也便于在电路中集成。
应用领域
STP14NM50N广泛应用于以下领域：
- 开关电源: 由于其高电压和高电流特性，适合用于AC-DC、DC-DC转换器。
- 马达驱动: 在工业电机控制和家用电器中，用于控制直流电机的启停及调速。
- 高频开关电路: 在RF及微波应用中，能够用于高频信号的调制。
- 电源管理: 在储能设备和电池管理系统中，负责高效的电能交换与管理。
结论
综合来看，STP14NM50N MOSFET凭借其高电压承受能力、适中的导通电阻、宽工作温度范围及多样的应用潜力，成为了工程师和设计师在处理高功率及高电压需求时的理想选择。ST（意法半导体）公司提供的这款器件不仅在性能上远超同类产品，同时也具备较高的可靠性与耐用性，确保在各类应用中能够发挥出稳定的性能表现。无论是对于科研开发还是工业应用，STP14NM50N都是一款不容忽视的高效能MOSFET解决方案。