额定功率 | 150mW | 集电极电流Ic | 600mA |
集射极击穿电压Vce | 60V | 晶体管类型 | PNP |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 600mA | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 60V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 1.6V @ 50mA,500mA | 电流 - 集电极截止(最大值) | 10nA(ICBO) |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 100 @ 150mA,10V | 功率 - 最大值 | 150mW |
频率 - 跃迁 | 200MHz | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | SOT-523 |
供应商器件封装 | SOT-523 |
MMBT2907AT-7-F 是一款高性能的PNP型双极型晶体管(BJT),它采用SOT-523封装,适合表面贴装技术(SMT)。这款晶体管在多种电子应用中表现出色,能够满足高频、高效率的需求,广泛应用于信号放大、电流开关、开关电源等领域。
低功耗:MMBT2907AT-7-F具有150mW的额定功率,适合于各种需要低功耗的应用场合,帮助降低系统整体的热设计复杂性。
高集电极电流承载能力:最大集电极电流可达600mA,使得该器件在高负载的条件下仍保持稳定的性能,适合驱动负载或用于功率放大。
抗压能力强:最大集射极击穿电压为60V,能够保证其在高电压条件下的可靠性,适用于高电压电路设计。
快速响应:该器件具有较快的频率转换特性(200MHz),非常适合用于高频信号处理,从而满足现代通信和无线应用的需求。
较高的直流电流增益:最小的hFE(直流电流增益)为100,确保在放大应用中能够提供良好的增益特性。
广泛的工作温度范围:良好的工作温度范围(-55°C 至 150°C),使其能够在苛刻环境下稳定运行,满足工业和汽车等行业的高要求。
MMBT2907AT-7-F 适用于多个领域,包括但不限于:
作为一款高性能的PNP晶体管,MMBT2907AT-7-F结合了多项优越特性,能够满足现代电子设备对功率、速度和可靠性的需求。依托其出色的电气参数以及高度的可编程性,该器件不仅适合低功耗应用,还能用于各种条件下的高性能系统设计。无论是在消费电子、通信设备还是工业控制等场合,MMBT2907AT-7-F都能够提供出色的性能表现,成为设计工程师的理想选择。