MMBT3904FA-7B 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

MMBT3904FA-7B

商品编码: BM69413774
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
X2DFN08063
包装 : 
编带
重量 : 
0.03g
描述 : 
三极管(BJT) 435mW 40V 200mA NPN DFN-3L(0.6x0.8)
库存 :
1235(起订量1,增量1)
批次 :
20+
数量 :
X
0.828
按整 :
圆盘(1圆盘有10000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.828
--
100+
¥0.572
--
500+
¥0.52
--
2500+
¥0.481
--
5000+
¥0.45
--
10000+
¥0.42
--
100000+
产品参数
产品手册
产品概述

MMBT3904FA-7B参数

额定功率435mW集电极电流Ic200mA
集射极击穿电压Vce40V晶体管类型NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)200mA电压 - 集射极击穿(最大值)40V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)300mV @ 5mA,50mA不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)100 @ 10mA,1V
功率 - 最大值435mW频率 - 跃迁300MHz
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型表面贴装型
封装/外壳3-XFDFN供应商器件封装X2-DFN0806-3

MMBT3904FA-7B手册

MMBT3904FA-7B概述

MMBT3904FA-7B 产品概述

一、产品背景

MMBT3904FA-7B 是一款高性能的 NPN 型三极管(BJT),由著名电子元器件供应商 DIODES 生产。此款三极管在多个领域得到了广泛应用,凭借其优越的电气特性和小型化的封装,成为了现代电子电路设计中常用的基础元件之一。

二、主要参数

  • 额定功率:435mW
  • 集电极电流 (Ic):最大 200mA
  • 集射极击穿电压 (Vce):最大 40V
  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降:最大 300mV @ 5mA,50mA
  • 直流电流增益 (hFE):最小 100 @ 10mA,1V
  • 工作频率:高达 300MHz
  • 工作温度范围:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 封装类型:表面贴装型 (SMD)
  • 封装尺寸:3-XFDFN,具体为 X2-DFN0806-3 (0.6mm x 0.8mm)

三、产品特点

  1. 高频特性:MMBT3904FA-7B 的跃迁频率可高达 300MHz,使其能够处理快速脉冲信号,适合用于高频开关电路和射频应用。

  2. 低饱和压降:在一定的电流(如 5mA 和 50mA)下,Vce 饱和压降仅为 300mV,这意味着在导通状态下,器件能够有效地减少功耗,提高电源效率,适用于低功耗设计。

  3. 高电流增益:该三极管的直流电流增益 (hFE) 在 10mA 电流下的最小值为 100,这提供了良好的放大能力,适合用作信号放大器,能扩展系统的信号范围。

  4. 宽工作温度范围:该元件能够在 -55°C 到 150°C 的环境下正常工作,适用于各种严酷的工作条件,特别适合工业、汽车及航空领域的应用。

  5. 紧凑的封装设计:X2-DFN0806-3 封装的表面贴装设计,使得 MMBT3904FA-7B 可以在有限的空间内实现高密度布线,是小型化电子设备的理想选择。

四、应用领域

MMBT3904FA-7B 适用于多个电子电路设计和应用场合:

  • 信号放大器:在音频放大、电信设备以及基础信号处理电路中,提供必要的放大性能。
  • 开关电路:可用作各种开关控制电路,提高电能使用效率,广泛应用于电源管理和电机驱动。
  • 射频应用:凭借其高频特性,该三极管适合用于射频传输及信号调制解调,满足无线通信需求。
  • 线性稳压:在DC-DC转换器和线性稳压电路中,也可利用其特性进行电压调节。
  • 传感器驱动:可在环境监测、工业控制等领域,用于驱动各种传感器元件。

五、总结

总体而言,MMBT3904FA-7B 是一款性能稳健的 NPN 三极管,具备高电流增益、低饱和压降以及宽工作温度范围,适合于多个应用领域。不论是在高频信号处理、开关电路还是精密的模拟信号放大中,该三极管均能为设计师提供可靠的解决方案,是电子工程师常用的优质元器件之一。随着电子行业的不断发展,MMBT3904FA-7B 的市场需求仍将持续增长,为您的设计提供强大的支持。