额定功率 | 435mW | 集电极电流Ic | 200mA |
集射极击穿电压Vce | 40V | 晶体管类型 | NPN |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 200mA | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 40V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 300mV @ 5mA,50mA | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 100 @ 10mA,1V |
功率 - 最大值 | 435mW | 频率 - 跃迁 | 300MHz |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | 3-XFDFN | 供应商器件封装 | X2-DFN0806-3 |
MMBT3904FA-7B 是一款高性能的 NPN 型三极管(BJT),由著名电子元器件供应商 DIODES 生产。此款三极管在多个领域得到了广泛应用,凭借其优越的电气特性和小型化的封装,成为了现代电子电路设计中常用的基础元件之一。
高频特性:MMBT3904FA-7B 的跃迁频率可高达 300MHz,使其能够处理快速脉冲信号,适合用于高频开关电路和射频应用。
低饱和压降:在一定的电流(如 5mA 和 50mA)下,Vce 饱和压降仅为 300mV,这意味着在导通状态下,器件能够有效地减少功耗,提高电源效率,适用于低功耗设计。
高电流增益:该三极管的直流电流增益 (hFE) 在 10mA 电流下的最小值为 100,这提供了良好的放大能力,适合用作信号放大器,能扩展系统的信号范围。
宽工作温度范围:该元件能够在 -55°C 到 150°C 的环境下正常工作,适用于各种严酷的工作条件,特别适合工业、汽车及航空领域的应用。
紧凑的封装设计:X2-DFN0806-3 封装的表面贴装设计,使得 MMBT3904FA-7B 可以在有限的空间内实现高密度布线,是小型化电子设备的理想选择。
MMBT3904FA-7B 适用于多个电子电路设计和应用场合:
总体而言,MMBT3904FA-7B 是一款性能稳健的 NPN 三极管,具备高电流增益、低饱和压降以及宽工作温度范围,适合于多个应用领域。不论是在高频信号处理、开关电路还是精密的模拟信号放大中,该三极管均能为设计师提供可靠的解决方案,是电子工程师常用的优质元器件之一。随着电子行业的不断发展,MMBT3904FA-7B 的市场需求仍将持续增长,为您的设计提供强大的支持。