晶体管类型 | PNP | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 1A |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 150V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 300mV @ 10mA,100mA |
电流 - 集电极截止(最大值) | 100nA(ICBO) | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 50 @ 300mA,10V |
功率 - 最大值 | 500mW | 频率 - 跃迁 | 100MHz |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
FMMT555TA 是一款高性能的 PNP 晶体管,具有优异的电气特性和可靠性,非常适合用于各种电子应用。其典型的使用场景包括音频放大器、开关电源、驱动电路等。该晶体管的主要参数使其能够在高压和高功率环境下稳定工作,是现代电子设计中不可或缺的元件之一。
FMMT555TA 的 PNP 构造使其能够在多种电路中执行开关和放大功能。这款晶体管支持最高 1A 的集电极电流,意味着它能够驱动相对较大的负载,非常适合用于电机控制和高功率 LED 驱动等应用。同时,它的最大集射极击穿电压为 150V,提供了额外的安全裕度,使其适用于高电压场合。
其饱和压降为 300mV,意味着在较大的电流条件下,FMMT555TA 仍能保持相对低的电压损耗,这对于提高整体电路效率至关重要。100nA 的集电极截止电流表明在关断状态下,FMMT555TA 的漏电流极小,减少了电池供电设备的功耗。
FMMT555TA 工作温度范围广泛,从-55°C到150°C,这使其特别适合在极端工作环境中使用,尤其是在汽车电子和航空航天领域等对温度稳定性要求较高的应用。此外,它的最大功率耗散为 500mW,表明它能够在高功率条件下可靠地运行,这对于设计求高可靠性和高效率的电路至关重要。
FMMT555TA 的广泛应用包括但不限于以下几个方面:
FMMT555TA 采用 SOT-23 封装,这种封装形式具有体积小、散热性能好、易于印刷电路板(SMD)安装的优点,符合现代电子产品对小型化和高集成度的需求。SOT-23 封装使得在有限的空间内实现更高的电路功能成为可能。
FMMT555TA 是一款性能卓越的 PNP 晶体管,结合了高集电极电流、高集射极击穿电压、低功耗和广泛的工作温度范围。其出色的电气特性使它在多个领域得到了广泛应用。对于设计师而言,选择 FMMT555TA 不仅能够满足高性能要求,同时也能提升整个系统的可靠性与效率,是一种理想的电子元器件选择。