晶体管类型 | NPN | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 1.25A |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 330mV @ 125mA,1.25A |
电流 - 集电极截止(最大值) | 10nA | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 200 @ 500mA,5V |
功率 - 最大值 | 500mW | 频率 - 跃迁 | 180MHz |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
FMMTL619TA 是一种高性能的 NPN 型晶体管,适用于各种电子应用领域,特别是在功率控制、信号放大和开关电路等任务中的优异表现。其设计基于先进的半导体技术,提供了卓越的电气特性,适合需要高电流与高增益的场合。此外,该晶体管采用 SOT-23-3 封装,具备表面贴装特性,有利于实现紧凑的电路布局。
FMMTL619TA 的高性能使其适用于多个领域的应用,包括但不限于:
FMMTL619TA 采用 SOT-23-3 表面贴装封装,特点包括:
FMMTL619TA 作为一款高效能、高可靠性的 NPN 晶体管,凭借其优越的电气特性和广泛的应用适配性,成为电子工程师和设计师在电路设计时的重要选择。无论是对于测试设备、消费电子或是工业控制系统,FMMTL619TA 都能提供理想的性能,以满足现代电子设备的需求。
对于计划使用 FMMTL619TA 的工程师,建议仔细考虑其最大额定值与应用条件,以确保在各种工作环境中的安全与稳定性能。如果您对该产品有进一步的需求或问题,欢迎随时联系供应商 DIODES 以获取支持和咨询。