2DB1713-13 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

2DB1713-13

商品编码: BM69413744
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT89
包装 : 
编带
重量 : 
1g
描述 : 
三极管(BJT) 900mW 12V 3A PNP SOT-89
库存 :
829(起订量1,增量1)
批次 :
23+
数量 :
X
1.09
按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.09
--
100+
¥0.835
--
1250+
¥0.709
--
37500+
产品参数
产品手册
产品概述

2DB1713-13参数

晶体管类型PNP电流 - 集电极 (Ic)(最大值)3A
电压 - 集射极击穿(最大值)12V不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)250mV @ 30mA,1.5A
电流 - 集电极截止(最大值)100nA(ICBO)不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)270 @ 500mA,2V
功率 - 最大值900mW频率 - 跃迁180MHz
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型表面贴装型
封装/外壳TO-243AA供应商器件封装SOT-89-3

2DB1713-13手册

2DB1713-13概述

2DB1713-13 产品概述

1. 产品简介

2DB1713-13是一款由美台(DIODES)公司生产的表面贴装型PNP型双极性晶体管(BJT),专为需要较高电流和电压控制的电子电路设计。该器件以其紧凑的SOT-89封装形式提供高效能,适用于各种开关和放大应用,尤其是在功率管理、信号调理和电子开关等场合。

2. 关键特性

  • 晶体管类型:PNP
  • 最大集电极电流(Ic):3A,满足高负载需求
  • 最大集射极击穿电压(Vce):12V,为电路提供足够的电压裕度
  • 饱和压降(Vce(sat)):在不同的基极电流(Ib)和集电极电流(Ic)条件下,最大饱和压降为250mV(在30mA,1.5A时测得),保证了良好的开关效率
  • 集电极截止电流(ICBO):最大100nA,可确保关断状态下的低漏电流
  • DC电流增益(hFE):最小270(在500mA,2V条件下),提供优良的电流放大特性
  • 最大功率:900mW,适合各种消费电子和功率应用
  • 频率跃迁:高达180MHz,适合高频应用
  • 工作温度范围:-55°C到150°C,适应严苛环境
  • 安装类型:表面贴装型,易于自动化生产
  • 封装类型:TO-243AA / SOT-89-3,紧凑设计使得布局和空间利用更加高效

3. 应用场景

2DB1713-13广泛应用于:

  • 功率放大:适用于需要放大低频信号的应用,如音频放大器和射频放大器。
  • 开关控制:可用于继电器驱动、LED驱动或者低功耗设备的开关控制。
  • 信号调理:在传感器接口和音频设备中常用来调理输入信号,确保信号强度和质量。
  • 汽车电子:在汽车电子设备中,针对高温和低温环境的预防设计保证其可靠性,适用于驱动电路。
  • 消费电子:在手机、平板电脑等消费电子设备中,因其出色的性能和小巧的封装,成为理想选择。

4. 性能优势

  • 高功率密度:随着电子设备对功耗和体积的需求日益增加,2DB1713-13以900mW的功率上限满足高功率需求,适合紧凑设计中的高效应用。
  • 出色的增益特性:270的DC电流增益确保了有效的信号放大,优化了电源的使用效率。
  • 宽工作温度:广泛的工作温度范围确保了在极端环境中也能保持优异性能,适合各种苛刻的工业和消费场景。
  • 低饱和压降:250mV的低饱和压降最大限度减少了在工作状态下的功耗,更加提升了能量效率。

5. 结论

综合来看,2DB1713-13是一款性能优越、应用广泛的PNP型双极性晶体管,其高电流、高电压及低信号损耗特性,结合其耐高温性能及紧凑封装,符合现代电子设备对高效能和小型化的需求。这款器件适合复杂的电路设计和动态负载变化的应用,是设计师在选择高效、可靠元器件时的不二之选。