IPB107N20N3 G

产品概述：IPB107N20N3 G

基本信息

IPB107N20N3 G 是一款由英飞凌（Infineon）生产的 N 沟道功率 MOSFET，具有出色的电气特性和可靠性。这款 MOSFET 专为高电压和高电流应用设计，广泛应用于各种工业、汽车和消费电子领域。

主要特性

• 电压等级：IPB107N20N3 G 支持高达 200V 的漏极电压，这使其在高电压环境下表现出色，能够满足许多工业应用的需求。
• 电流能力：该 MOSFET 具备 88A 的持续漏极电流，能够处理较大的负载，是对电流要求苛刻的电路设计的理想选择。
• 封装类型：采用 PG-TO263-3 封装，具有良好的热管理性能和紧凑的外形设计，适合高密度安装。

电子特性

• 低导通电阻：IPB107N20N3 G 的 R_DS(on)（导通电阻）非常低，能够在导通状态下减少损耗，提升整体能效。
• 快速切换特性：该 MOSFET 拥有较好的开关特性，适合高频开关应用，能够有效改善开关损耗，提升系统效率。

应用领域

IPB107N20N3 G 可广泛应用于多种场景，包括但不限于：

• DC-DC 转换器：适用于变换电源，尤其是需要高效率和高功耗处理的电源管理电路。
• 电动汽车：在电动车的驱动系统中，作为整流或开关元件使用，能够满足高电压和高电流的要求。
• 工业控制：在各种工业设备和自动化系统中，作为开关控制器或者驱动器，确保高负荷操作的可靠性。
• 消费电子：在电源适配器、充电器等设备中，提供稳定、高效的电源解决方案。

性能优势

1. 高效率：因其低导通电阻和优良的开关特性，IPB107N20N3 G 在高频操作时，能够显著降低能量损耗，加快热管理速度。
2. 热稳定性：PG-TO263-3 封装设计使得该 MOSFET 能够在较高温度下稳定工作，提升了其在极端条件下的表现。
3. 兼容性强：与其它 MOSFET 方案相比，该产品能够更广泛地兼容现有电路设计，方便系统集成和替换。

总结

IPB107N20N3 G 是一款理想的 N 沟道功率 MOSFET，凭借其卓越的电压、电流处理能力及低损耗特性，满足了众多高性能应用的需求。无论是在数据中心的电源管理，还是工业自动化系统中的驱动控制，甚至是电动交通工具的动力系统，这款产品均能展现出色的性能。英飞凌的专业制造和严格的质量控制，使得 IPB107N20N3 G 在行业内有着极高的口碑和信赖度，非常适合寻求高效、可靠的功率处理方案的工程师们选择。