PSMN1R0-30YLC,115
PSMN1R0-30YLC,115参数
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 100A |
| 栅源极阈值电压 | 1.95V @ 1mA | 漏源导通电阻 | 1.15mΩ @ 25A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 272W | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 100A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.15 毫欧 @ 25A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.95V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 103.5nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 6645pF @ 15V | 功率耗散（最大值） | 272W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | LFPAK56，Power-SO8 | 封装/外壳 | SC-100，SOT-669 |
PSMN1R0-30YLC,115手册
PSMN1R0-30YLC,115概述
PSMN1R0-30YLC,115 产品概述
PSMN1R0-30YLC,115 是一款高性能的 N 沟道金属氧化物场效应管（MOSFET），在功率电子应用中表现出色。该器件的设计宗旨是实现高效的电流控制，同时保证较低的导通电阻与高漏源电压的稳定性，非常适合各种高功率、高频率的应用场景。
关键性能参数
漏源电压（Vdss）: 该 MOSFET 的最大漏源电压为 30V，意味着其能够处理的电压范围宽广，适合于相对较低电压的应用，如直流电源管理、开关电源等。
连续漏极电流（Id）: 在 25°C 环境温度下，该器件的连续漏极电流为 100A。这使得 PSMN1R0-30YLC,115 适用于对高电流要求较高的场合，如电动机驱动、逆变器等应用。
导通电阻（Rds(on)）: 其漏源导通电阻为 1.15mΩ (在 25A，10V 的条件下)，这表明该 MOSFET 在导通状态下具有极低的功率损耗，能够提高整体系统的能效，降低发热，并提升可靠性。
栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 栅源极阈值电压为 1.95V (在 1mA 时测得)，表明其在低驱动电压下即可启动，进一步简化了驱动电路的设计。
驱动电压: 最小的驱动电压为 4.5V，最大驱动电压为 10V，广泛适用于不同驱动电压的电路设计要求。
输入电容（Ciss）: 在 15V 条件下，输入电容为 6645pF，适合于高频开关应用，减少在开关过程中对驱动信号的影响，确保良好的开关特性。
功率耗散: 最大功率耗散能力为 272W (在 Tc=25°C 时)，这使得该器件能够承受较高的热负载对应的功耗。
工作温度: 工作温度范围为 -55°C 至 175°C，满足严苛环境下的应用需求，确保在极端气候条件下也能稳定工作。
应用场景
得益于其优异的性能参数，PSMN1R0-30YLC,115 可广泛应用于多种领域，包括但不限于：
开关电源: 适用于反激式和升压型开关电源，利用其小的导通电阻和高电流承载能力，提升转换效率和降低热损耗。
电动机驱动: 在电机控制应用中，能够提供高电流的输出以及耐高温特性，确保电动机在严苛条件下仍能正常运行。
电池管理系统: 在电池充放电过程中，能够控制大电流与低压损失，提升电池的使用效率和安全性。
逆变器: 用于太阳能逆变器和其他可再生能源应用中，帮助实现高效率电能转换，降低系统成本。
封装与安装
PSMN1R0-30YLC,115 采用了先进的 LFPAK56 和 Power-SO8 封装，适合表面贴装，封装小巧且散热良好，有利于实现高密度的电路板设计。SOT-669 和SC-100 的封装形式也为开发者提供了更灵活的选择。通过这些封装，能够有效降低电路板的空间占用，同时提升电路的整体可靠性与稳定性。
总结
综上所述，PSMN1R0-30YLC,115 作为一款功能强大的 N 沟道 MOSFET，其出色的电气特性和宽广的应用领域使其成为电源管理和功率控制设计中的理想选择，不论是在高功率转换、开关电源还是电动机控制等应用中都能够释放其潜力，为现代电气工程带来更高的效率与可靠性。