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IRFR310TRPBF
品牌 :
VISHAY(威世)
封装 :
D-Pak
包装 :
编带
重量 :
0.528g
描述 :
场效应管(MOSFET) 2.5W；25W 400V 1.7A 1个N沟道 TO-252-2(DPAK)
库存 :
1919(起订量1,增量1)
批次 :
23+数量 :
X
2.94按整 :
圆盘(1圆盘有2000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥2.94
--
100+
￥2.26
--
1000+
￥1.97
--
20000+
产品参数
产品手册
产品概述
IRFR310TRPBF参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 400V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1.7A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 3.6 欧姆 @ 1A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 12nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 170pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 2.5W（Ta），25W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | D-Pak |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
IRFR310TRPBF手册
无数据
IRFR310TRPBF概述
IRFR310TRPBF 产品概述
IRFR310TRPBF 是一款由威世（Vishay）生产的高性能 N 通道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）。其设计主要用于高电压应用，其中具有优越的导通特性和可靠的工作性能。该器件广泛应用于开关电源、功率放大器及其他需要高电压大电流控制的电子电路中。以下是 IRFR310TRPBF 的详细技术参数及其应用分析。
技术规格
- FET 类型: N 通道 MOSFET。
- 漏源电压 (Vdss): 该器件可以承受最高 400V 的漏源电压，适合多种高电压场合。
- 连续漏极电流 (Id): 在 25°C 的环境下，该 MOSFET 的连续漏极电流为 1.7A，形成良好的负载能力。
- 导通电阻 (Rds On): 对于 10V 的驱动电压，最大导通电阻为 3.6Ω，具体在 1A电流下测量。这种低导通电阻特性有助于减少功耗，提高系统效率。
- 栅源阈值电压 (Vgs(th)): 其最大阈值电压为 4V（对应 250µA），这意味着在较低电压下也能够开启设备，提高了设计的灵活性。
- 栅极电荷 (Qg): 最大的栅极电荷为 12nC，在 10V 驱动下，确保快速开关特性，适合高频应用。
- 输入电容 (Ciss): 最大输入电容为 170pF，确保设备在快速开关动作时能够有效控制速度，避免延迟过大。
- 功率耗散: 器件最大功率耗散在环境温度下为 2.5W，而在芯片温度下可达到 25W，这使得其在高温条件下工作稳定，适合紧凑型设计。
- 工作温度范围: IRFR310TRPBF 的工作温度范围为 -55°C 至 150°C，保证了其在极端环境条件下仍能正常工作。
- 封装类型: 该 MOSFET 采用 D-Pak 封装（TO-252-3），适合表面贴装（SMD）应用，便于批量生产和自动化组装。
应用领域
IRFR310TRPBF 可广泛应用于以下几个主要领域：
开关电源: 该 MOSFET 的高电压和高电流特性使其非常适合用于开关电源中的主开关元件，能够承受输入电压的瞬变变化。
电机控制: 在电机控制电路中，IRFR310TRPBF 的快速开关性能能够确保电机在不同工作模式下具有更高的响应速度和精确的控制。
照明控制: 该 MOSFET 也常用于LED照明控制和功率调节电路中，优化系统的能源效率。
功率放大器: 在RF（无线电频率）功率放大器中可用作功率输出级，能有效放大信号并提高整体系统效率。
总结
IRFR310TRPBF 是一款高效、可靠且性能优越的 N 通道 MOSFET，专为高电压应用设计。其强大的电气特性和宽广的工作温度范围使其成为高效电源管理和电机驱动应用的理想选择。无论应用在哪个场合，该器件均能够满足现代电子设备对功率、效率和稳定性的要求。
在选用 MOSFET 时，用户需根据应用的具体需求来考虑产品的各项参数，IRFR310TRPBF 无疑是一个值得关注的选择，适用于多种复杂且苛刻的电气条件下的高性能设备。