CY7C1041GN30-10ZSXIT
CY7C1041GN30-10ZSXIT参数
| 存储器类型 | 易失 | 存储器格式 | SRAM |
| 技术 | SRAM - 异步 | 存储容量 | 4Mb （256K x 16） |
| 存储器接口 | 并联 | 写周期时间 - 字，页 | 10ns |
| 访问时间 | 10ns | 电压 - 供电 | 2.2V ~ 3.6V |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C（TA） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） | 供应商器件封装 | 44-TSOP II |
CY7C1041GN30-10ZSXIT手册
CY7C1041GN30-10ZSXIT概述
CY7C1041GN30-10ZSXIT 产品概述
概述
CY7C1041GN30-10ZSXIT是Cypress（赛普拉斯）公司推出的一款高性能静态随机存取存储器（SRAM）。它采用异步SRAM技术，提供高达4Mb的存储容量（256K x 16），十分适合需要快速数据访问和存取的应用场景。凭借其低功耗、高速度和宽工作温度范围，CY7C1041GN30-10ZSXIT在各种嵌入式系统和工业应用中展现出强大的竞争力。
主要特点
存储类型与容量: CY7C1041GN30-10ZSXIT是一个易失性存储器，具有4Mb（256K x 16）的存储容量，能够有效存储大型数据集，在多种应用场合中灵活使用。
技术与接口: 该SRAM芯片基于异步访问技术，支持并联存储器接口，使得数据的读写速度达到极高的水平。这种设计确保了数据存取的高效率，适合要求快速响应的场景。
访问与写周期时间: CY7C1041GN30-10ZSXIT的访问时间仅为10ns，写周期时间同样为10ns。这确保了在处理实时数据时能够快速响应，适合包括网络设备、通信设备以及其他高速数据处理的应用。
电源电压与功耗: 此SRAM工作电压范围为2.2V至3.6V，能够在低电压下运行，降低了整体功耗，对便携设备尤其重要。低功耗特性使得CY7C1041GN30-10ZSXIT在移动应用和电池供电设备中极具吸引力。
工作温度范围: 该产品的工作温度范围为-40°C至85°C，使其能够在恶劣环境下可靠运行，满足工业级应用的需求。
封装与安装: CY7C1041GN30-10ZSXIT采用44-TSOP II封装，以表面贴装型设计，使得其适用于高密度板设计，广泛应用于各种电路板上。
应用场景
Cypress CY7C1041GN30-10ZSXIT广泛应用于多个领域，包括：
通信设备: 在高速网络设备和通讯基站中，SRAM的快速存取能力可以改善数据传输效率。
消费电子: 在智能手机、平板电脑及其他消费品中，作为临时数据存储器提供快速的操作响应。
工业控制: 由于其宽广的工作温度范围，此SRAM在恶劣环境的工业控制系统中同样表现出色。
嵌入式系统: 在需要快速缓存和临时数据存储的嵌入式处理器中，CY7C1041GN30-10ZSXIT提供了稳定可靠的性能。
总结
CY7C1041GN30-10ZSXIT是一款功能强大并具备高性能的SRAM产品，结合其卓越的存储能力、快速的访问时间以及广泛的应用场合，成为了当今高科技设备中不可或缺的组成部分。无论是用于复杂的工业控制系统还是日常消费电子产品，该SRAM都能为设计师提供迎合不同需求的解决方案，是实现更高效、更可靠电子产品设计的重要选择。随着高科技行业的发展以及对存储器技术持续提升的需求，CY7C1041GN30-10ZSXIT将继续发挥其重要作用。